[發(fā)明專利]采用薄膜封裝的顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710236856.2
• 申請日: 2017-04-12
• 公開（公告）號: CN107170775B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設計）人: 賈龍昌;蘇聰藝
• 申請（專利權）人: 上海天馬有機發(fā)光顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，包括：

陣列基板；

電致發(fā)光結構，設置于所述陣列基板之上，所述電致發(fā)光結構包括光提取層；

光學補償層，設置于所述電致發(fā)光結構的所述光提取層之上，所述光學補償層包括第一補償層和第二補償層，所述第二補償層位于所述第一補償層背離所述電致發(fā)光結構的表面，所述第一補償層的折射率大于所述第二補償層的折射率并且所述第一補償層的折射率大于所述光提取層的折射率；

所述第一補償層與所述第二補償層的折射率之差等于所述光提取層和真空之間的折射率之差；

薄膜封裝層，包括第一膜層，所述第一膜層設置于所述第二補償層背離所述第一補償層的表面。

2.根據(jù)權利要求1所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述第一補償層與所述第二補償層的折射率之差的范圍為0.8至0.9。

3.根據(jù)權利要求1所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述光提取層、所述第一補償層、所述第二補償層和所述第一膜層沿遠離所述陣列基板的方向依次疊置。

4.根據(jù)權利要求1所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述第一補償層的折射率范圍為2.0至3.0，所述第二補償層的折射率范圍為1至1.6。

5.根據(jù)權利要求1所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述第一膜層的折射率大于所述第二補償層的折射率。

6.根據(jù)權利要求1所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述光提取層的折射率范圍為1.8至2.2，所述第一膜層的折射率范圍為1.6至1.8。

7.根據(jù)權利要求1至6之任一項所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述電致發(fā)光結構還包括依次設置的陽極層、有機發(fā)光材料層和陰極層，所述陽極層與所述陣列基板的薄膜晶體管連接，所述陰極層背離所述有機發(fā)光材料層的表面設置有所述光提取層。

8.根據(jù)權利要求7所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述陽極層為全反射陽極層。

9.根據(jù)權利要求1至6之任一項所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述第一補償層的構成材料包括TiO₂、Ti₃O₅、Ti₂O₃、TiO、Al₂O₃、Ta₂O₅、HfO₂、ZrO₂、Nb₂O₅、ZnO、CeO₂、ZnS、ZnSe中的一種或多種的組合。

10.根據(jù)權利要求1至6之任一項所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述第二補償層的構成材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或氧化鋁薄膜。

11.根據(jù)權利要求1至6之任一項所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述第一補償層的厚度范圍為1nm至100nm，所述第二補償層的厚度為1nm至100nm。

12.根據(jù)權利要求1至6之任一項所述的采用薄膜封裝的顯示裝置，其特征在于，所述光提取層的厚度為10nm-100nm，所述第一膜層的厚度為500nm至1000nm。