[發明專利]晶圓加工裝置及加工半導體晶圓的方法

有效

• 申請號: 201710236854.3
• 申請日: 2017-04-12
• 公開（公告）號: CN108695189B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 林劍鋒;楊懷德;張世杰;張家睿;林礽豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種晶圓加工裝置，包括：

一腔體；

一基臺，位于該腔體中并用以支撐一半導體晶圓；

一流體排放組件以及一流體排除組件沿一橫向軸線設置于該基臺的兩側；以及

一預熱組件，位于該基臺徑向的外側，且包括一支撐件以及多個彼此間隔設置的凸肋結構，其中所述凸肋結構位于該流體排放組件和該流體排除組件至少其中一者與該基臺之間，并且所述凸肋結構設置于該支撐件上。

2.如權利要求1所述的晶圓加工裝置，其中所述凸肋結構沿實質平行該橫向軸線的方向延伸，且在垂直該橫向軸線的方向上間隔設置。

3.如權利要求1所述的晶圓加工裝置，其中所述凸肋結構的最大高度大于該流體排放組件的一開口的高度。

4.如權利要求1所述的晶圓加工裝置，其中所述凸肋結構在垂直該橫向軸線的剖面上，具有一第一段部以及一第二段部，該第一段部位于該第二段部之上，其中該第一段部的寬度大于該第二段部的寬度。

5.如權利要求1所述的晶圓加工裝置，其中該支撐件環繞該基臺且具有一內側緣緊鄰該基臺，所述凸肋結構形成于該支撐件之上；

其中，所述凸肋結構的第一凸肋結構較所述凸肋結構的第二凸肋結構靠近該橫向軸線，且該第一凸肋結構與該支撐件的內側緣的間距小于該第二凸肋結構與該支撐件的內側緣的間距。

6.一種晶圓加工裝置，包括：

一腔體；

一基臺，位于該腔體中并用以支撐一半導體晶圓；

一流體排放組件以及一流體排除組件沿一橫向軸線設置于該基臺的兩側，其中一加工氣體自該流體排放組件流向該流體排除組件；以及

一預熱組件，具有多個彼此間隔設置以供該加工氣體通過的流道，其中所述流道位于該流體排放組件和該流體排除組件至少其中一者與該基臺之間；

其中所述流道由兩個相鄰的凸肋結構所定義，且所述凸肋結構的最大高度大于該流體排放組件上所對應的一開口高度。

7.如權利要求6所述的晶圓加工裝置，其中所述流道沿實質平行該橫向軸線的方向延伸，且在垂直該橫向軸線的方向上間隔設置。

8.如權利要求6所述的晶圓加工裝置，其中該預熱組件包括一支撐件，該支撐件環繞該基臺且具有一內側緣緊鄰該基臺，所述流道形成于該支撐件之上；

其中，所述流道的第一流道較所述流道的第二流道靠近該橫向軸線，且該第一流道靠近該基臺的一端與該支撐件的內側緣的間距小于該第二流道靠近該基臺的一端與該支撐件的內側緣的間距。

9.一種加工半導體晶圓的方法，包括：

提供一晶圓加工裝置，該晶圓加工裝置包括一腔體以及一基臺設置于該腔體中，該基臺用于支撐該半導體晶圓；

加熱位于該基臺徑向外側的一預熱組件，其中該預熱組件包括一支撐件以及多個由相鄰兩個凸肋結構所定義的流道，并且所述凸肋結構設置于該支撐件上；以及

經由所述流道對該半導體晶圓提供一加工氣體，其中該加工氣體由一流體排放組件提供，并且所述凸肋結構位于該流體排放組件以及該基臺之間。