[發(fā)明專利]一種多磁控管微波加熱裝置性能測試系統(tǒng)及測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710236715.0 | 申請日: | 2017-04-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107102200B | 公開(公告)日: | 2020-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周曉軍;黎曉云;肖思林;夏欣然;劉韜 | 申請(專利權(quán))人: | 成都千牛信息技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R21/133 | 分類號(hào): | G01R21/133;G01R31/00 |
| 代理公司: | 成都君合集專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51228 | 代理人: | 張鳴潔 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多磁控管 微波 加熱 裝置 性能 測試 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種多磁控管微波加熱裝置性能測試系統(tǒng),用于對(duì)多個(gè)磁控管同時(shí)饋入微波加熱腔的微波加熱裝置進(jìn)行性能測試,所述測試系統(tǒng)包括依次連接的取樣單元、AD轉(zhuǎn)換模塊、數(shù)據(jù)處理顯示單元,其特征在于:所述取樣單元包括系統(tǒng)取樣模塊和與磁控管一一對(duì)應(yīng)連接的單管取樣模塊,單管取樣模塊包括單管電源取樣模塊、磁控管參數(shù)取樣模塊、微波功率計(jì),系統(tǒng)取樣模塊、單管電源取樣模塊、磁控管參數(shù)取樣模塊、微波功率計(jì)分別與AD轉(zhuǎn)換模塊連接;
所述系統(tǒng)取樣模塊,用于采集多個(gè)磁控管總電源的總電壓、多個(gè)磁控管總電源的總電流、系統(tǒng)加熱時(shí)間信號(hào);所述系統(tǒng)加熱時(shí)間信號(hào)包括運(yùn)行多磁控管微波加熱裝置時(shí)磁控管燈絲預(yù)熱時(shí)間t預(yù)、磁控管微波實(shí)際加熱時(shí)間Δt、磁控管測試時(shí)間t;
所述單管電源取樣模塊,設(shè)置在單個(gè)磁控管的電源輸入端,用于采集單個(gè)磁控管的單管輸入電壓信號(hào)、單管輸入電流信號(hào);
所述磁控管參數(shù)取樣模塊,與磁控管連接,用于采集單個(gè)磁控管的單管陽極電壓信號(hào)、單管陽極電流信號(hào)、單管燈絲電壓信號(hào)、單管燈絲電流信號(hào)和單管溫度信號(hào);
所述微波功率計(jì),通過激勵(lì)器與磁控管連接,用于采集單個(gè)磁控管的單管微波輸出功率信號(hào)、單管微波反射功率信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多磁控管微波加熱裝置性能測試系統(tǒng),其特征在于:所述微波功率計(jì)包括相互連接的雙向定向耦合器、檢波二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多磁控管微波加熱裝置性能測試系統(tǒng)進(jìn)行的一種多磁控管微波加熱裝置性能的測試方法,其特征在于:具體包括以下步驟:
步驟S1:在多磁控管微波加熱裝置的微波加熱腔中放入水負(fù)載;
步驟S2:運(yùn)行多磁控管微波加熱裝置和測試系統(tǒng),待多磁控管微波加熱裝置穩(wěn)定運(yùn)行后,測試系統(tǒng)通過取樣單元采集測試時(shí)刻對(duì)應(yīng)的系統(tǒng)總參數(shù)和每個(gè)磁控管的單管參數(shù),同時(shí)采集此時(shí)刻水負(fù)載的測試水溫;同時(shí),采集到的系統(tǒng)總參數(shù)和各個(gè)單管參數(shù)通過AD轉(zhuǎn)換模塊轉(zhuǎn)換并匯總至數(shù)據(jù)處理顯示單元;
步驟S3:由數(shù)據(jù)處理顯示單元計(jì)算出對(duì)應(yīng)微波系統(tǒng)的性能參數(shù)并反饋分析結(jié)果;
所述步驟S1中放入水負(fù)載時(shí),測量初始水溫T1、水質(zhì)量MW并輸入數(shù)據(jù)處理顯示單元;
所述步驟S2中運(yùn)行多磁控管微波加熱裝置時(shí),記錄起始時(shí)刻time1、磁控管預(yù)熱結(jié)束時(shí)刻time2、測試系統(tǒng)測試時(shí)刻time3、測試時(shí)刻水負(fù)載的測試水溫T2并輸入數(shù)據(jù)處理顯示單元;
所述步驟S2中系統(tǒng)總參數(shù)包括電源總電壓U總、電源總電流I總;單管參數(shù)包括單管輸入電壓Ui入、單管輸入電流Ii入、單管陽極電壓Uai、單管陽極電流Iai、單管燈絲電壓Ufi、單管燈絲電流Ifi、單管溫度Tmi、單管微波輸出功率Pmi出、單管微波反射功率Pmi反;
所述步驟S3中微波系統(tǒng)的性能參數(shù)包括單個(gè)磁控管的單管輸入功率Pi入、單管陽極功率Pai、單管燈絲功率Pfi、總電源輸入總功率P電總、多個(gè)磁控管輸入總功率Pi總、多個(gè)磁控管陽極總功率Pa總、多個(gè)磁控管燈絲總功率Pf總、微波輸出總功率Pm出、微波反射總功率Pm反、磁控管微波輸出效率η出、微波熱效率η熱、微波負(fù)載功率Pz;
當(dāng)磁控管微波輸出效率η出或微波熱效率η熱超出設(shè)定的閾值范圍之外時(shí),判斷對(duì)應(yīng)的多磁控管微波加熱裝置存在結(jié)構(gòu)問題或電路問題;
當(dāng)多個(gè)磁控管陽極總功率Pa總、多個(gè)磁控管燈絲總功率Pf總之和與多個(gè)磁控管輸入總功率Pi總的差值超出超出設(shè)計(jì)閾值時(shí),判斷對(duì)應(yīng)的多磁控管微波加熱裝置存在電路問題;
當(dāng)微波反射總功率Pm反與微波輸出總功率Pm出比值超出設(shè)計(jì)閾值時(shí),判斷對(duì)應(yīng)的多磁控管微波加熱裝置存在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理的問題;
所述總電源輸入總功率P電總為總電源的總電壓與總電流之積,即P電總=U總*I總;
所述多個(gè)磁控管輸入總功率Pi總為多個(gè)磁控管輸入功率之和,即
所述多個(gè)磁控管陽極總功率Pa總為多個(gè)磁控管陽極功率之和,即
所述多個(gè)磁控管燈絲總功率Pf總為多個(gè)磁控管燈絲功率之和,即
所述微波輸出總功率Pm出為多個(gè)磁控管微波輸出功率之和,即
所述微波反射總功率Pm反為多個(gè)磁控管微波反射功率之和,即
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