[發明專利]用于產生自對準的掩蔽層的方法

有效

• 申請號: 201710236661.8
• 申請日: 2017-04-12
• 公開（公告）號: CN107293479B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: H.阿斯曼;F.布勞恩;M.丹克爾曼;S.德林;K.弗里德里希;U.格奇克斯;A.格賴納;R.魯道夫;J.施奈德
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/266;H01L21/027
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;杜荔南

1.一種方法，其具有：

?在第一層中在預先限定的位置處形成被埋置的帶電區域，使得所述被埋置的帶電區域在所述第一層之上產生具有橫向不均勻的場分布的電場；以及

?在使用所述場分布的情況下，在所述第一層上方形成第二層，使得所述第二層的結構與所述被埋置的帶電區域的位置相互關聯。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述第一層具有電絕緣的材料，或者由該電絕緣的材料構成。

3.根據權利要求1或2所述的方法，

其中，所述第一層具有半導電的材料，或者由該半導電的材料構成。

4.根據權利要求2或3所述的方法，

其中，所述形成被埋置的帶電區域具有對所述第一層的摻雜，其中所述被埋置的帶電區域是所述第一層的經摻雜的區域。

5.根據權利要求4所述的方法，

其中，所述形成被埋置的帶電區域具有形成空間電荷區，使得所述空間電荷區限定所述被埋置的帶電區域。

6.根據權利要求5所述的方法，此外還具有：

利用電磁輻射來輻照所述第一層，加熱所述第一層和/或將電壓施加到所述第一層上，使得提高由所述空間電荷區產生的電場的場強。

7.根據權利要求1至6之一所述的方法，

其中，所述形成被埋置的帶電區域具有：在襯底的表面處形成所述帶電區域，并且緊接著將覆蓋層施加到所述襯底的所述表面上，以埋置所述帶電區域。

8.根據權利要求7所述的方法，

其中，所述襯底是硅晶片，并且其中，所述覆蓋層是外延硅層。

9.根據權利要求1至8之一所述的方法，

其中，所述第二層具有電活性材料、優選地電活性聚合物，所述電活性材料受所述被埋置的帶電區域的所述電場影響。

10.根據權利要求1至8之一所述的方法，

其中，所述形成第二層具有：以被結構化的方式施加介電粒子，其中所述介電粒子由于所述電場而部分地粘附在所述第一層處。

11.根據權利要求1至8之一所述的方法，

其中，所述形成第二層具有：

?確定所述電場的橫向不均勻的場分布；以及

?在使用所確定的場分布的情況下，形成所述第二層。

12.根據權利要求11所述的方法，

其中，在使用所述所確定的場分布的情況下，所述形成第二層借助激光輔助沉積進行。

13.根據權利要求1至12之一所述的方法，

其中，進行所述形成第二層，使得所述第二層掩蔽所述第一層，其中所述第一層的在所述被埋置的帶電區域之上的區域不含所述第二層。

14.根據權利要求13所述的方法，此外還具有：

借助作為掩蔽層的所述第二層，向所述第一層的在所述被埋置的帶電區域之上的所述區域進行摻雜。

15.根據權利要求1至12之一所述的方法，此外還具有：

借助所述第二層形成掩蔽層，使得所述掩蔽層掩蔽所述第一層，其中所述第一層的在所述被埋置的帶電區域之上的區域不含所述掩蔽層。

16.根據權利要求15所述的方法，此外還具有：

借助所述掩蔽層，向所述第一層的布置在所述被埋置的帶電區域之上的區域進行摻雜。

17.一種方法，其具有：

?向半導體晶片的多個第一區域進行摻雜，使得在所述第一區域的每個區域中都形成空間電荷區，其中所述第一區域以預先限定的橫向圖案并排地布置；

?將半導體層施加到所述半導體晶片上，使得所述第一區域被遮蓋，其中由相應的空間電荷區產生的具有橫向場分布的電場穿過所述半導體層的露出的表面；

?在使用所述橫向場分布的情況下，在所述半導體層的露出的表面上方形成被結構化的掩蔽層，使得所述半導體層的多個第二區域不含所述掩蔽層，其中橫向重疊地在所述多個第一區域的每一個第一區域之上分別布置所述多個第二區域的一個第二區域；以及

?在使用所述掩蔽層的情況下，向所述半導體層的所述多個第二區域進行摻雜。