[發明專利]鰭狀結構的制造方法

有效

• 申請號: 201710236563.4
• 申請日: 2017-04-12
• 公開（公告）號: CN108695162B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 李昆儒;許力介;廖羿涵;陸俊岑;林志勛;劉昕融
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種鰭狀結構的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成沿著第一方向延伸的圖案化的觸媒層與圖案化的鈍化層，所述圖案化的鈍化層位于所述圖案化的觸媒層上；

在所述圖案化的觸媒層的至少一側形成碳層，所述碳層包括沿著所述第一方向排列的多個空心碳管，其中每一空心碳管沿著第二方向延伸；

進行移除工藝，以移除每個空心碳管的上部及下部中最接近所述襯底的部分，以使留下多個殘部做為掩模層，其中相鄰的兩個殘部形成沿著所述第二方向延伸的條形圖案；

移除所述圖案化的鈍化層與所述圖案化的觸媒層；

將所述掩模層的圖案轉移至所述襯底，以形成多個鰭狀結構；以及

移除所述掩模層。

2.根據權利要求1所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述圖案化的觸媒層包括第一觸媒圖案與第二觸媒圖案，且所述碳層形成在所述第一觸媒圖案與所述第二觸媒圖案之間。

3.根據權利要求2所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述圖案化的鈍化層還覆蓋所述第一觸媒圖案的第二側以及所述第二觸媒圖案的第二側，使所述多個空心碳管從所述第一觸媒圖案的第一側向所述第二觸媒圖案的所述第二側沿著所述第二方向成長。

4.根據權利要求2所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述圖案化的觸媒層還包括第三觸媒圖案，位于所述第一觸媒圖案與所述第二觸媒圖案之間；

其中所述圖案化的鈍化層還覆蓋所述第一觸媒圖案的第二側以及所述第二觸媒圖案的第一側。

5.根據權利要求4所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述多個空心碳管是從所述第一觸媒圖案的第一側沿著所述第二方向成長以及從所述第三觸媒圖案的第二側沿著負的所述第二方向成長接合而成，以及從所述第三觸媒圖案的第一側沿著所述第二方向成長以及從所述第二觸媒圖案的第二側沿著負的所述第二方向成長接合而成。

6.根據權利要求1所述的鰭狀結構的制造方法，還包括在形成所述圖案化的觸媒層之前，在所述襯底上形成硬掩模層。

7.根據權利要求6所述的鰭狀結構的制造方法，還包括：

在將所述掩模層的圖案轉移至所述襯底之前，以所述掩模層為掩模，圖案化所述硬掩模層，以形成圖案化的硬掩模層；以及

在形成所述多個鰭狀結構后，移除所述圖案化的硬掩模層。

8.根據權利要求7所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述圖案化的硬掩模層與所述圖案化的鈍化層的材料不同。

9.根據權利要求8所述的鰭狀結構的制造方法，其中移除所述圖案化的鈍化層的方法包括進行各向同性蝕刻工藝、各向異性蝕刻工藝或其組合。

10.根據權利要求6所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述硬掩模層包括導體、介電材料或其組合。

11.根據權利要求10所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述硬掩模層包括鉑、氧化硅、氮化硅、氧化鈦、氧化鋁、氧化銅、氮氧化硅、氮碳化硅或氮碳氧化硅。

12.根據權利要求1所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述圖案化的鈍化層包括導體、介電材料或其組合。

13.根據權利要求12所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述圖案化的鈍化層包括鉑、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮碳化硅或氮碳氧化硅。

14.根據權利要求1所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述圖案化的觸媒層包括金屬或金屬合金。

15.根據權利要求14所述的鰭狀結構的制造方法，其中所述圖案化的觸媒層包括鐵、鈷、鎳、銅或其合金。

16.根據權利要求1所述的鰭狀結構的制造方法，還包括在移除所述圖案化的鈍化層與所述圖案化的觸媒層之后，且在將所述掩模層的圖案轉移至所述襯底之前，對所述掩模層進行退火工藝。