[發明專利]一種含鹵素或擬鹵素富碳材料及其應用有效
| 申請號: | 201710236402.5 | 申請日: | 2017-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN106898773B | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發明(設計)人: | 黃長水;何建江;王寧;呂青;楊澤 | 申請(專利權)人: | 中國科學院青島生物能源與過程研究所 |
| 主分類號: | H01M4/583 | 分類號: | H01M4/583;H01G11/32 |
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| 地址: | 266101 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鹵素 材料 及其 應用 | ||
1. 一種含鹵素或擬鹵素富碳材料,其特征在于:材料為具有自支撐能力的柔性材料,禁帶寬度為0.5-3 eV,電導率為0.002-2×10-3 S m–1,該材料由單體鹵代三炔基苯制備而成,其結構中存在苯環、炔鍵和碳鹵鍵,以及由三種鍵所構成的六邊形孔道,孔徑為1.23-2nm。
2.按權利要求1所述的含鹵素或擬鹵素富碳材料,其特征在于:所述材料由苯環與苯環間存在的炔鍵相連構成二維平面結構,通過層間作用力可以組裝成為三維自支撐結構。
3.按權利要求1或2所述的含鹵素或擬鹵素富碳材料,鹵素或擬鹵素為氟、氯、溴、碘、硫氰基、硒氰基、氰基以及疊氮酸二硫化碳基中的一種。
4.按權利要求1或2所述的含鹵素或擬鹵素富碳材料,其特征在于:其制備方法如下:以銅片或任意表面覆蓋有銅薄膜層的基底作為基底,以鹵代三炔基苯為單體,在銅的催化下于溶劑中發生偶聯反應,在所述基底的表面得到由苯環、炔鍵和碳鹵鍵相連構成二維平面晶體結構的材料薄膜;所述的溶劑為吡啶。
5. 權利要求4所述的含鹵素或擬鹵素富碳材料,其特征在于:所述的鹵代三炔基苯單體與所述的基底的面積關系為0.01-2 mg/cm2;所述的鹵代三炔基苯單體與所述的溶劑的體積關系為0.02-4 mg/mL;所述的偶聯反應中,溫度為50-180 ℃,時間為3-7天。
6. 一種制備含鹵素或擬鹵素富碳材料的方法,其特征在于:以銅片或任意表面覆蓋有銅薄膜層的基底作為基底,以鹵代三炔基苯為單體,在銅的催化下于溶劑中發生偶聯反應,在所述基底的表面得到由苯環、炔鍵和碳鹵鍵相連構成二維平面晶體結構的材料薄膜;所述的溶劑為吡啶;所述的鹵代三炔基苯單體與所述的基底的面積關系為0.01-2 mg/cm2;所述的鹵代三炔基苯單體與所述的溶劑的體積關系為0.02-4 mg/mL;所述的偶聯反應中,溫度為50-180 ℃,時間為3-7天。
7.一種權利要求1所述的含鹵素或擬鹵素富碳材料的應用,其特征在于:所述材料在儲能器件中的應用。
8.按權利要求7所述的含鹵素或擬鹵素富碳材料的應用,其特征在于:所述儲能器件為金屬離子電池或超級電容器,其中,材料可直接使用、將其粉碎或其他形式使用。
9.按權利要求8所述的含鹵素或擬鹵素富碳材料的應用,其特征在于:所述的金屬離子電池中的金屬選自鋰、鈉、鉀、鎂、鈣、鋁、鋅、鎘、鎳、鈷中的一種。
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