[發明專利]確定污染層厚或材料種類的方法、光學元件和EUV光刻系統

有效

• 申請號: 201710236373.2
• 申請日: 2017-04-12
• 公開（公告）號: CN107388976B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: I.阿門特;M.貝克
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G01B11/06
• 分類號: G01B11/06;G01N21/41
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 侯宇

1.一種用于確定光學系統中的表面(7)處的污染層(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的種類的方法，該方法包括：

用測量射線(10)來照射在其處形成有等離激元納米顆粒(8a,8b)的表面(7)，

檢測在等離激元納米顆粒(8a,8b)處散射的第一測量射線(10a)，以及

借助所檢測到的第一測量射線(10a)來確定污染層(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的種類，其中，在等離激元納米顆粒(8a,8b)上散射的第一測量射線(10a)的散射光強度的光譜分布和污染層(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的種類之間存在關聯。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，為了確定污染層(13)的厚度(d1,d2)，確定在等離激元納米顆粒(8a,8b)處散射的第一測量射線(10a)的光譜分布的與厚度相關的波長偏移。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，為了確定污染材料的種類，確定在具有分別至少一種不同性質的等離激元納米顆粒(8a,8b)處散射的第一測量射線(10a)的多個光譜分布的波長偏移。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述至少一種不同性質選自：等離激元納米顆粒(8a,8b)的尺寸，等離激元納米顆粒(8a,8b)的幾何形狀和等離激元納米顆粒(8a,8b)的材料。

5.根據權利要求2至4之一所述的方法，其中，根據光譜分布的最大值波長(λ_max)的偏移或根據在光譜分布的至少兩個測量波長(λ₁,λ₂)處的散射光強度(I_s1,I_s2)的變化來確定光譜分布的波長偏移。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，以空間分辨方式檢測在等離激元納米顆粒(8a,8b)處散射的第一測量射線(10a)。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，在光學元件(1)的反射EUV射線(4)的涂層(3)的表面層(6)的表面(7)處形成等離激元納米顆粒(8a,8b)。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，將等離激元納米顆粒(8a,8b)施涂在表面層(6)的表面(7)上或者至少部分嵌入到表面層(6)中。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，在運行所述光學系統期間，至少進行所述照射和所述檢測的步驟。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述光學系統是EUV光刻系統(101)。

11.EUV光刻系統(101)，包括：

至少一個表面(7)，在所述表面(7)處形成有等離激元納米顆粒(8a,8b)，

至少一個測量射線源(9)，其用于用測量射線(10)照射在其處形成有等離激元納米顆粒(8a,8b)的表面(7)，

至少一個檢測器(11)，其用于檢測在等離激元納米顆粒(8a,8b)處散射的第一測量射線(10a)，以及

評估裝置(12)，其用于借助檢測到的第一測量射線(10a)來確定所述表面(7)處的污染層(13)的厚度和/或所述表面(7)處的污染材料的種類，其中，在等離激元納米顆粒(8a,8b)上散射的第一測量射線(10a)的散射光強度的光譜分布和污染層(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的種類之間存在關聯。

12.根據權利要求11所述的EUV光刻系統，其中，所述形成有等離激元納米顆粒(8a,8b)的表面(7)，形成光學元件(1)的表面層(6)的表面(7)。

13.根據權利要求11或12所述的EUV光刻系統，其中，檢測器(11)被構造為以空間分辨方式檢測第一測量射線(10a)的光譜分布。

14.根據權利要求11所述的EUV光刻系統，其中，所述測量射線源(9)構造為用于產生在可見光波長范圍的測量射線(10)。