[發(fā)明專利]高增益和寬頻帶混合型等離子激元光學(xué)漏波陣列天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710236006.2 | 申請日： | 2017-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN107065045B | 公開（公告）日： | 2020-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鐘東洲;劉程鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 五邑大學(xué) |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00;G02B27/00 |
| 代理公司： | 北京方圓嘉禾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 529020 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 增益 寬頻 混合 等離子 光學(xué) 陣列 天線 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.高增益和寬頻帶混合型等離子激元光學(xué)漏波陣列天線,其特征在于：包括主體材料，所述的主體材料為四層結(jié)構(gòu)，從上到下依次為第一硅層（1）、金屬層（2）、第二硅層（6）、二氧化硅層（3）；所述的金屬層（2）中有二行二維對稱性錐形橢球孔陣列（5），所述的二維對稱性錐形橢球孔陣列（5）由長方體和橢球體的差集而形成的；二維對稱性錐形橢球孔陣列（5）是等間距的周期性結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高增益和寬頻帶混合型等離子激元光學(xué)漏波陣列天線，其特征在于：所述的主體材料的兩側(cè)為天線兩個端口，所述的端口處有填充物（4），所述的填充物（4）為空氣或者氮化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高增益和寬頻帶混合型等離子激元光學(xué)漏波陣列天線，其特征在于：所述的二維對稱性錐形橢球孔陣列（5）分布中，每行包括九個橢球孔，所述的九個橢球孔的橢球體長軸從中間一個橢球孔往兩邊按照等差數(shù)列排列分布，橢球孔其它半軸的大小不變。
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