[發明專利]一種靜電場輔助多晶硅鑄錠的方法在審
| 申請號： | 201710234839.5 | 申請日： | 2017-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN107164802A | 公開（公告）日： | 2017-09-15 |
| 發明（設計）人： | 楊曉朋;張立來;曹丙強 | 申請（專利權）人： | 濟南大學 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06;C30B30/02 |
| 代理公司： | 濟南譽豐專利代理事務所(普通合伙企業)37240 | 代理人： | 李茜 |
| 地址： | 250022 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 靜電場 輔助 多晶 鑄錠 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種靜電場輔助多晶硅鑄錠的方法，其特征在于，所述方法包括下述具體步驟：
(1)將兩片電極板置于多晶鑄錠坩堝上下兩側，并保持平行；
(2)電極板外接高壓電源，給電極板輸出穩定電壓；
(3)保持兩極板間電場強度的穩定，進行多晶硅鑄錠工藝；
(4)鑄錠結束，極板斷電，即可得到性能優異的多晶硅鑄錠。
2.如權利要求一所述一種靜電場輔助多晶硅鑄錠的方法，其特征在于，電極板輸出穩定電壓的變化范圍在1V-10000V可調。
3.如權利要求一所述一種靜電場輔助多晶硅鑄錠的方法，其特征在于，電場強度可在1V/cm-100000V/cm范圍內穩定于一個具體值。
4.如權利要求1所述的一種靜電場輔助多晶硅鑄錠的方法，其特征在于，步驟(1)中，所述電極板材料為石墨、導電無機物。
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