[發(fā)明專利]一種高功率密度的容錯(cuò)永磁游標(biāo)直線電機(jī)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710233408.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106953497A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙文祥;沈陽(yáng);吉敬華;楊燕矯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H02K41/03 | 分類號(hào): | H02K41/03 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 212013 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 功率密度 容錯(cuò) 永磁 游標(biāo) 直線 電機(jī) | ||
1.一種高功率密度的容錯(cuò)永磁游標(biāo)直線電機(jī),其特征在于,包括初級(jí)、次級(jí)和電樞繞組,初級(jí)的長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于次級(jí),并且初級(jí)與次級(jí)間存在氣隙;
初級(jí)上開(kāi)槽形成齒槽結(jié)構(gòu),每相鄰三個(gè)電樞齒組成一個(gè)E形模塊,各模塊間隔為(k+1/s)τs,其中τs為次級(jí)極距,s為單元模塊數(shù),且k,s均為正整數(shù),電樞繞組集中纏繞于E形模塊的中間電樞齒內(nèi),模塊的三個(gè)電樞齒的齒端均開(kāi)虛槽,虛槽中嵌入永磁體陣列,次級(jí)開(kāi)槽成梯形結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率密度的容錯(cuò)永磁游標(biāo)直線電機(jī),其特征在于,所述E形模塊中間齒的齒端開(kāi)四個(gè)虛槽,左右電樞齒齒端各開(kāi)兩個(gè)虛槽,各虛槽內(nèi)嵌入的永磁體陣列尺寸和分布均相同;左右兩個(gè)電樞齒的形狀與中間電樞齒近似,但是寬度為中間電樞齒寬的1/2;左右電樞齒端部由于開(kāi)槽而形成三個(gè)虛齒;端部寬度滿足WL=WR=1/2(WM+WVT),WL、WR分別為左、右電樞齒端部寬度,WM為中間電樞齒端部寬度,WVT為虛齒寬;嵌入的永磁體陣列分布如下:永磁體陣列由三塊充磁角度不同的永磁體組成,位于陣列左側(cè)的第一永磁體充磁角度與水平線成-30°夾角,右側(cè)第三永磁體充磁角與水平線成-150°角,即與第一永磁體成鏡像對(duì)稱;位于陣列中間的第二永磁體豎直向下充磁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率密度的容錯(cuò)永磁游標(biāo)直線電機(jī),其特征在于,當(dāng)電機(jī)處在三相或六相運(yùn)行狀態(tài)下,初級(jí)極距τm=lm+ld,其中l(wèi)m為模塊有效長(zhǎng)度,ld為模塊之間的間隔,滿足τm=32/3τs,且有τs=τp,其中τp為永磁體極距。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率密度的容錯(cuò)永磁游標(biāo)直線電機(jī),其特征在于,電機(jī)各模塊永磁體的極對(duì)數(shù)PPM,電樞繞組產(chǎn)生的極對(duì)數(shù)Pw,次級(jí)有效齒數(shù)N,滿足Pw=|PPM-N|的關(guān)系。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率密度的容錯(cuò)永磁游標(biāo)直線電機(jī),其特征在于,永磁體均是釹鐵硼磁材料,或第一磁體、第三永磁體采用鐵氧體,第二永磁體采用釹鐵硼磁材料。
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