[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710233180.1
• 申請(qǐng)日: 2017-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN107968054A
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宜群;尹宗凡;邱意為;夏英庭;許立德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 馮志云,王芝艷

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

形成一開口穿過(guò)一絕緣層；

形成一第一功函數(shù)金屬層于該開口中；

使該第一功函數(shù)金屬層凹陷至該開口中，以形成一凹陷的第一功函數(shù)金屬層；以及

形成一第二功函數(shù)金屬層于該開口中及該凹陷的第一功函數(shù)金屬層上，且該第二功函數(shù)調(diào)整層襯墊并懸于該凹陷的第一功函數(shù)金屬層上。