[發(fā)明專利]耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710232881.3
• 申請日: 2017-04-11
• 公開（公告）號: CN107154283B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金云霞;肖斐
• 申請（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜，包含基底、所述基底上的銀納米線堆積膜和聚合物保護層，其特征在于，向所述銀納米線復(fù)合薄膜通入電流時，電流注入點位于所述聚合物保護層，且電流流經(jīng)處的銀納米線表面均有聚合物層保護；

所述聚合物保護層為下述聚合物或其前體：殼聚糖、環(huán)氧樹脂、聚氨酯、聚酰亞胺、聚二甲基硅氧烷、淀粉、纖維素、酚醛樹脂、聚乙烯、阿拉伯膠或聚碳酸酯；

所述聚合物保護層的厚度為1～150nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜，其特征在于，所述聚合物保護層覆蓋于所述銀納米線堆積膜的表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜，其特征在于，所述聚合物保護層覆蓋于所述銀納米線堆積膜中的銀納米線的表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜，其特征在于，所述基底為柔性聚合物基底或玻璃基底。

5.權(quán)利要求2所述的耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：

(1)將銀納米線分散于水或有機溶劑中，得到銀納米線分散液；

(2)將所述銀納米線分散液涂膜于基底上，在基底上形成銀納米線堆積膜；

(3)將聚合物或其前體溶解稀釋后，涂膜在所述銀納米線堆積膜的表面，經(jīng)處理后即制得耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜，在所述耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜中，聚合物保護層覆蓋于所述銀納米線堆積膜的表面。

6.權(quán)利要求3所述的耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：

(1)將銀納米線分散于水或有機溶劑中，得到銀納米線分散液；

(2)將聚合物或其前體溶解稀釋后，加入所述銀納米線分散液中，混合均勻，得到銀納米線復(fù)合分散液；

(3)將所述銀納米線復(fù)合分散液涂膜于基底上，經(jīng)處理后即制得耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜，在所述耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜中，聚合物保護層覆蓋于銀納米線堆積膜中的銀納米線的表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的耐電遷移銀納米線復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，聚合物或其前體的加入量為銀納米線質(zhì)量的0.001～10倍。