[發明專利]二維材料增強的太陽能電池結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201710232706.4 | 申請日: | 2017-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN107195695A | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發明(設計)人: | 林時勝;陸陽華;馮思睿 | 申請(專利權)人: | 杭州格藍豐納米科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司33200 | 代理人: | 萬尾甜,韓介梅 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市濱江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二維 材料 增強 太陽能電池 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種采用二維材料增強的太陽能電池結構,其特征在于,是在硅晶太陽能電池的制備過程中,于制做電極之前,在絕緣減反層上鋪設一層下轉換材料層,所述的下轉換材料層為二維碳化硅、二維二硫化鉬中一種或幾種混合的二維材料層。
2.根據權利要求1所述的采用二維材料增強的太陽能電池結構,其特征在于,所述的硅晶太陽能電池為單晶硅太陽能電池或者多晶硅太陽能電池。
3.根據權利要求1所述的采用二維材料增強的太陽能電池結構,其特征在于,所述的下轉換材料層是通過旋涂、浸泡或者噴淋前驅體溶液的方式附著在絕緣減反層上。
4.根據權利要求3所述的采用二維材料增強的太陽能電池結構,其特征在于,所述的前驅體溶液為二維碳化硅、二維二硫化鉬中的一種或多種在水、乙醇或IPA中形成的分散液。
5.根據權利要求1所述的采用二維材料增強的太陽能電池結構,其特征在于,所述的絕緣減反層為氧化鋁、氮化硅、二氧化硅中的一種;采用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發或原子層沉積(ALD)的方法制備獲得。
6.如權利要求1所述的采用二維材料增強的太陽能電池結構的制備方法,其特征在于,在硅晶太陽能電池制備過程中,制備絕緣減反層后,在該絕緣減反層上旋涂或噴淋前驅體溶液,或者將絕緣減反層上表面浸入前驅體溶液中再取出;烘干,在絕緣減反層上獲得下轉換材料層,再進行后續電極制備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





