[發明專利]一種石墨烯量子點化學活性誘導生長紅熒烯薄膜的方法有效
| 申請號： | 201710231843.6 | 申請日： | 2017-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN107083530B | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發明（設計）人： | 王麗娟;范思大;張梁;張沛沛;朱陽陽;尹麗;孫麗晶;李占國 | 申請（專利權）人： | 長春工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/12 | 分類號： | C23C14/12;C23C14/24;C23C14/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨烯 量子點 紅熒烯 薄膜 襯底 化學活性 誘導生長 高溫高壓反應釜 高化學活性 量子點表面 氧化石墨烯 邊緣橫向 邊緣生長 點狀分布 橫向誘導 晶體生長 溶劑熱法 結晶性 誘導層 生長 乙醇 烘干 量子 下沿 旋涂 制備 切割 誘導 改進 | ||
【權利要求書】：
1.一種石墨烯量子點化學活性誘導生長紅熒烯薄膜的方法包括：石墨烯量子點（1）橫向誘導層和紅熒烯分子（2）沿石墨烯量子點邊緣化學活性點處誘導生長在二氧化硅襯底（3）上；
石墨烯量子點（1）橫向誘導層，采用旋涂方法將溶于乙醇溶液中的石墨烯量子點涂布在二氧化硅襯底（3）上，前轉速為800rpm下旋涂6s，接著在后轉速2600rpm下旋涂45s，置于60℃烘箱中1.0h，形成點狀分布的石墨烯量子點（1）橫向誘導層，石墨烯量子點直徑為30-50nm，石墨烯量子點間距為50-100nm；
紅熒烯分子（2）沿石墨烯量子點邊緣化學活性點處誘導生長層，帶有石墨烯量子點（1）橫向誘導層的二氧化硅襯底（3）置于蒸鍍設備中，在6×10-4Pa真空環境中慢速蒸鍍紅熒烯分子，襯底溫度為70oC，蒸鍍速度為0.5-1?/min，紅熒烯分子（2）沿著高化學活性石墨烯量子點邊緣生長，逐漸鋪滿 整個襯底，生長厚度20nm的紅熒烯薄膜。
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