[發明專利]一種利用硅納米介電材料制備的超疏水表面增強拉曼基底及其制備方法有效
| 申請號： | 201710231551.2 | 申請日： | 2017-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN107064107B | 公開（公告）日： | 2019-11-19 |
| 發明（設計）人： | 陳煥君;陳學賢;鄧少芝;許寧生 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | G01N21/65 | 分類號： | G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44102 廣州粵高專利商標代理有限公司 | 代理人： | 陳衛<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址： | 510000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超疏水表面 納米級 基底 制備 硅納米 強堿 低表面能物質 金屬納米顆粒 超疏水特性 混合溶液中 金納米顆粒 靜態接觸角 銀納米顆粒 表面殘留 表面覆蓋 復合結構 基底表面 級聯結構 介電材料 水浴加熱 小分子醇 銀鹽溶液 腐蝕液 納米線 酸溶液 硅片 構建 刻蝕 修飾 浸泡 覆蓋 | ||
1.一種利用硅納米介電材料制備超疏水表面增強拉曼基底的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
S1：將n型<100>晶向雙面拋光硅片置于小分子醇類和強堿的混合溶液中，水浴加熱完成硅微米錐結構的構建；
S2：將硅微米錐結構置于銀鹽溶液與HF溶液的混合腐蝕液中，刻蝕得硅微米/納米級聯結構；
S3：用酸溶液浸泡S2所得硅微米/納米級聯結構以除去其表面殘留的銀納米顆粒，然后對硅微米/納米級聯結構進行金納米顆粒的包裹覆蓋；
S4：使用低表面能物質對S3所得金-硅納米復合結構進行表面覆蓋修飾，即得所述超疏水表面增強拉曼基底；
其中，S1中的硅片先經預蝕刻處理：將S1中的硅片預先置于質量分數為20％的NaOH溶液中于80℃水浴加熱1～2min；
S1中所述小分子醇類為乙醇和/或異丙醇；所述強堿為氫氧化鈉和/或氫氧化鉀；
S2中所述銀鹽溶液為AgNO3溶液；S3中所述酸溶液為硝酸溶液；
S4中所述低表面能物質為全氟辛基三乙氧基硅烷。
2.根據權利要求1所述利用硅納米介電材料制備超疏水表面增強拉曼基底的方法，其特征在于，S3中利用離子濺射法對硅微米/納米級聯結構進行金納米顆粒的包裹覆蓋。
3.根據權利要求2所述利用硅納米介電材料制備超疏水表面增強拉曼基底的方法，其特征在于，S3中將金濺射在硅微米/納米級聯結構的表面，然后于氬氣氛圍中于500～600℃下退火1～2h即得金-硅納米復合結構基底。
4.根據權利要求1所述利用硅納米介電材料制備超疏水表面增強拉曼基底的方法，其特征在于，S1所得硅微米錐結構用去離子水沖洗后置于濃硫酸和雙氧水的混合溶液中浸泡去除其表面生成的雜質。
5.權利要求1～4任一所述制備方法制備得到的超疏水表面增強拉曼基底。
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