[發(fā)明專利]雙極型晶體管及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710228312.1
• 申請日: 2017-04-10
• 公開（公告）號: CN108695374B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 呂正勇;陶佳佳
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

本發(fā)明提供一種雙極型晶體管及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底包括：第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)；對所述第一區(qū)和第三區(qū)基底進行第一離子注入，在所述第一區(qū)基底中形成第一阱區(qū)，并在所述第三區(qū)基底中形成第三阱區(qū)，所述第一阱區(qū)與第三阱區(qū)中具有第一摻雜離子；對所述第二區(qū)基底進行第二離子注入，在所述第二區(qū)基底中形成第二阱區(qū)；對所述第一阱區(qū)、第二阱區(qū)和第三阱區(qū)進行圖形化處理，形成阱襯底，以及位于所述第一區(qū)阱襯底上的第一鰭部，位于第二區(qū)阱襯底上的第二鰭部，位于所述第三區(qū)阱襯底上的第三鰭部。所述形成方法能夠改善所形成雙極型晶體管的性能。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領域，尤其涉及一種雙極型晶體管及其形成方法。

背景技術(shù)

隨著半導體器件集成度的提高，晶體管的應用越來越廣泛，這也對晶體管的性能提出了更高的要求。

雙極型晶體管，也稱三極管或晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。三極管在放大電路和靜電保護電路中都有重要應用。

然而，現(xiàn)有技術(shù)形成的雙極型晶體管的性能較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種雙極型晶體管及其形成方法，能夠改善所形成的雙極型晶體管的性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種雙極型晶體管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括：第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)，所述第二區(qū)位于第一區(qū)和第三區(qū)之間，且所述第一區(qū)與第二區(qū)相鄰，所述第二區(qū)和第三區(qū)相鄰；對所述第一區(qū)和第三區(qū)基底進行第一離子注入，在所述第一區(qū)基底中形成第一阱區(qū)，并在所述第三區(qū)基底中形成第三阱區(qū)，所述第一阱區(qū)與第三阱區(qū)中具有第一摻雜離子；對所述第二區(qū)基底進行第二離子注入，在所述第二區(qū)基底中形成第二阱區(qū)，所述第二阱區(qū)中具有第二摻雜離子，所述第二阱區(qū)與所述第一阱區(qū)接觸，且所述第二阱區(qū)與所述第三阱區(qū)接觸，所述第二摻雜離子與所述第一摻雜離子的導電類型相反；對所述第一阱區(qū)、第二阱區(qū)和第三阱區(qū)進行圖形化處理，形成阱襯底、位于所述第一區(qū)阱襯底上的第一鰭部、位于第二區(qū)阱襯底上的第二鰭部以及位于所述第三區(qū)阱襯底上的第三鰭部；在所述第一鰭部中形成第一外延層；在所述第二鰭部中形成第二外延層；在所述第三鰭部中形成第三外延層。

可選的，所述第一離子注入之后，進行所述第二離子注入；或者所述第一離子注入之前，進行所述第二離子注入。

可選的，形成所述第一阱區(qū)和第三阱區(qū)的步驟包括：在所述第二區(qū)基底上形成第一掩膜層；以所述第一掩膜層為掩膜對所述基底進行第一離子注入，在所述第一區(qū)基底中形成第一阱區(qū)，并在所述第三區(qū)基底中形成第三阱區(qū)。

可選的，所述第一摻雜離子為磷離子或砷離子，所述第一離子注入的工藝參數(shù)包括：注入劑量為2.3E13atoms/cm²～3.3E13 atoms/cm²；注入能量為20KeV～30KeV；功率為90KW～110KW。

可選的，形成所述第二阱區(qū)的步驟包括：在所述第一區(qū)和第三區(qū)基底上形成第二掩膜層；以所述第二掩膜層為掩膜對所述基底進行第二離子注入，在所述第二區(qū)基底中形成第二阱區(qū)。

可選的，所述第二摻雜離子為硼或BF^2-，所述第二離子注入的工藝參數(shù)包括：注入劑量為2.7E13 atoms/cm²～3.3E13atoms/cm²，注入能量為10KeV～20KeV，功率為90KW～110KW。

可選的，所述圖形化處理的步驟包括：在所述基底上形成圖形化的第三掩膜層；以所述圖形化的第三掩膜層為掩膜，對所述基底進行刻蝕，形成阱襯底以及位于所述第一區(qū)阱襯底上的第一鰭部，位于第二區(qū)阱襯底上的第二鰭部，位于所述第三區(qū)阱襯底上的第三鰭部。