[發明專利]包括非圓形形狀的溝道圖案的非易失性半導體器件

有效

• 申請號: 201710228177.0
• 申請日: 2017-04-10
• 公開（公告）號: CN107331667B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 孫龍勛;崔漢枚;黃棋鉉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/1157
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種非易失性存儲結構，包括：

水平地延伸的基板；

從所述基板豎直地延伸的填充絕緣圖案；

多個有源溝道圖案，繞所述填充絕緣圖案的周邊以Z字形圖案從所述基板豎直地延伸，所述有源溝道圖案的每個具有相應的非圓形形狀的水平截面；以及

多條柵線的豎直堆疊，每個豎直堆疊繞所述填充絕緣圖案和所述多個有源溝道圖案水平地延伸。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲結構，其中每個各自的非圓形形狀的水平截面至少包括用于限定所述非圓形形狀的水平截面的第一部分和第二部分。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲結構，其中每個非圓形形狀的水平截面包括彎曲側壁。

4.根據權利要求3所述的非易失性存儲結構，其中所述非圓形形狀的水平截面還包括與所述彎曲側壁相反的自對準側壁。

5.根據權利要求4所述的非易失性存儲結構，其中所述非圓形形狀的水平截面的所述自對準側壁與所述填充絕緣圖案的所述周邊的相鄰于所述自對準側壁的線形部分自對準。

6.根據權利要求1所述的非易失性存儲結構，其中所述有源溝道圖案中的跨所述填充絕緣圖案直接相鄰的有源溝道圖案相互偏移。

7.根據權利要求1所述的非易失性存儲結構，其中所述多條柵線的豎直堆疊不在所述填充絕緣圖案的所述周邊內部。

8.根據權利要求5所述的非易失性存儲結構，其中所述自對準側壁是線形的。

9.根據權利要求5所述的非易失性存儲結構，其中所述自對準側壁與所述彎曲側壁被不同地彎曲。

10.一種非易失性存儲結構，包括：

水平地延伸的基板；

絕緣圖案，從所述基板豎直地延伸，所述絕緣圖案限定周邊側壁，該周邊側壁包括多個向外彎曲的部分和在所述向外彎曲的部分之間的線形部分；以及

多個有源溝道圖案，在所述周邊側壁內部從所述基板豎直地延伸，其中每個有源溝道圖案凹進到所述周邊側壁的相應的向外彎曲的部分中。

11.根據權利要求10所述的非易失性存儲結構，其中每個有源溝道圖案包括沿著所述周邊側壁的相應的向外彎曲的部分的彎曲側壁。

12.根據權利要求11所述的非易失性存儲結構，其中所述多個有源溝道圖案的每個具有包括所述彎曲側壁的非圓形形狀的水平截面。

13.根據權利要求10所述的非易失性存儲結構，還包括：

堆疊在所述基板上的多個柵電極，其中每個柵電極圍繞所述周邊側壁并且包括與所述周邊側壁的相應的向外彎曲的部分一致的相應的向內彎曲的部分。

14.根據權利要求10所述的非易失性存儲結構，其中所述絕緣圖案包括包含所述多個向外彎曲的部分的兩個長的相對側以及兩個短的相對側。

15.根據權利要求14所述的非易失性存儲結構，其中所述多個向外彎曲的部分在所述兩個長的相對側上彼此偏移。

16.根據權利要求10所述的非易失性存儲結構，其中所述絕緣圖案包括數據存儲層的在所述向外彎曲的部分上的部分。

17.根據權利要求16所述的非易失性存儲結構，還包括：

填充絕緣圖案，填充與所述數據存儲層分離的所述周邊側壁的內部。

18.根據權利要求12所述的非易失性存儲結構，其中所述非圓形形狀的水平截面還包括與所述彎曲側壁相反的自對準側壁，所述自對準側壁與所述線形部分自對準。