[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710227715.4 | 申請日： | 2017-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN108630623A | 公開（公告）日： | 2018-10-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 唐紹祖;王隆源;陳美琪;蔡瀛洲 | 申請（專利權(quán)）人： | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 承載件 封裝結(jié)構(gòu) 封裝層 感測面 制程 制法 外露 包覆 覆晶 感測 移除 | ||
1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征為，該封裝結(jié)構(gòu)包括：
封裝層，其具有相對的第一表面與第二表面；
電子元件，其埋設(shè)于該封裝層中且具有相對的感測面與非感測面，且該感測面外露出該封裝層的第一表面；以及
多個導(dǎo)電元件，其形成于該電子元件的非感測面上，且各該導(dǎo)電元件的至少部分表面外露出該封裝層的第二表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征為，該電子元件包含具有導(dǎo)電硅穿孔的硅基材。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征為，該感測面齊平該封裝層的第一表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征為，該導(dǎo)電元件的端面齊平該封裝層的第二表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征為，該導(dǎo)電元件的部分表面外露出該封裝層的第二表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征為，該導(dǎo)電元件的全部表面外露出該封裝層的第二表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征為，該封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)于該封裝層的第一表面上且覆蓋該電子元件的感測面的透光件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征為，該透光件為玻璃。
9.一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法包括：
將至少一具有相對的感測面與非感測面的電子元件以該感測面結(jié)合至一承載件上；以及
形成封裝層于該承載件上以包覆該電子元件，其中，該封裝層具有相對的第一表面與第二表面，且該封裝層以其第一表面結(jié)合該承載件上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該電子元件包含具有導(dǎo)電硅穿孔的硅基材。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該感測面齊平該封裝層的第一表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括形成多個導(dǎo)電元件于該電子元件的非感測面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該導(dǎo)電元件的至少部分表面外露出該封裝層的第二表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該導(dǎo)電元件的端面齊平該封裝層的第二表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該導(dǎo)電元件的部分表面外露出該封裝層的第二表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該導(dǎo)電元件的全部表面外露出該封裝層的第二表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括移除該承載件。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該承載件為透光件。
19.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括進行切單制程。
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