[發明專利]GOA驅動單元及GOA驅動電路在審
| 申請號: | 201710227247.0 | 申請日: | 2017-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN106887204A | 公開(公告)日: | 2017-06-23 |
| 發明(設計)人: | 馬偉欣 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識產權代理有限公司11372 | 代理人: | 吳大建 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | goa 驅動 單元 電路 | ||
技術領域
本發明屬于顯示面板驅動技術領域,特別涉及一種GOA驅動單元及GOA驅動電路。
背景技術
目前,GOA(Gate on array)驅動技術已經廣泛應用于顯示面板的驅動中,GAO驅動電路用于依次向各像素單元行輸出行掃描信號。在對顯示面板進行驅動時,可以采用從像素單元行的第一行至最末一行的正向掃描方式,也可以采用從像素單元行的最末一行至第一行的反向掃描方式。在GOA驅動電路中,一般通過設置雙向選擇單元來傳輸控制掃描方向的選擇信號。
GOA驅動電路一般采用TFT器件構成。在GOA驅動電路的工作過程中,一部分TFT器件會始終處于開啟的狀態中。即,對于P型TFT,對其柵極持續施加低電平信號,對于N型TFT,對其柵極持續施加高電平信號。而當TFT器件長時間處于開啟狀態時,其將受到應力(Stress)的持續作用,在該應力的作用下,TFT器件的電子遷移率將發生變化,進而導致TFT器件的開啟電壓發生偏移,造成TFT器件失效。例如GOA驅動電路中的雙向選擇單元,構成該雙向選擇單元的TFT器件需要在行掃描過程中始終保持開啟的狀態,其TFT器件失效的風險較高,將嚴重影響GOA驅動電路的可靠性。
發明內容
本發明所要解決的技術問題之一是降低GOA驅動電路中的TFT器件的失效風險,提高GOA驅動電路的可靠性。
為了解決上述技術問題,本發明的實施例首先提供了一種GOA驅動單元,其包括雙向選擇單元,所述雙向選擇單元用于傳輸控制所述GOA驅動單元的掃描方向的選擇信號,所述雙向選擇單元被配置為:
接收第一控制信號與第二控制信號,所述第一控制信號與所述第二控制信號分別在第一時序和第二時序中使所述雙向選擇單元處于開啟狀態,并輸出用于控制所述GOA驅動單元正向掃描的第一選擇信號;其中,所述第一時序和所述第二時序相互互補;
接收第三控制信號與第四控制信號,所述第三控制信號與所述第四控制信號分別在第三時序和第四時序中使所述雙向選擇單元處于開啟狀態,并輸出用于控制所述GOA驅動單元反向掃描的第二選擇信號;其中,所述第三時序和所述第四時序相互互補。
優選地,所述雙向選擇單元包括第一開關元件,
正向掃描時,所述第一開關元件的信號輸入端接收所述第一選擇信號,其第一控制端接收所述第一控制信號,其第二控制端接收所述第二控制信號,其信號輸出端在所述第一控制信號與第二控制信號的作用下輸出所述第一選擇信號;
反向掃描時,所述第一開關元件的信號輸入端接收所述第二選擇信號,其第一控制端接收所述第三控制信號,其第二控制端接收所述第四控制信號,其信號輸出端在所述第三控制信號與第四控制信號的作用下輸出所述第二選擇信號。
優選地,所述第一開關元件包括第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極和漏極分別與所述第二薄膜晶體管的源極和漏極對應連接;
所述第一薄膜晶體管的柵極接收所述第一控制信號或所述第三控制信號,所述第二薄膜晶體管的柵極接收所述第二控制信號或所述第四控制信號;
以所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管的源極作為第一開關元件的信號輸入端,以所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管的漏極作為第一開關元件的信號輸出端。
優選地,所述雙向選擇單元包括第二開關元件與第三開關元件,
所述第二開關元件的信號輸入端接收所述第一選擇信號,其第一控制端接收所述第一控制信號,其第二控制端接收所述第二控制信號;所述第三開關元件的信號輸入端接收所述第二選擇信號,其第一控制端接收所述第三控制信號,其第二控制端接收所述第四控制信號;
正向掃描時,所述第二開關元件的信號輸出端在所述第一控制信號與第二控制信號的作用下輸出所述第一選擇信號;所述第三開關元件在所述第三控制信號與第四控制信號的作用下處于關閉狀態;
反向掃描時,所述第三開關元件的信號輸出端在所述第三控制信號與第四控制信號的作用下輸出所述第二選擇信號;所述第二開關元件在所述第一控制信號與第二控制信號的作用下處于關閉狀態。
優選地,所述第二開關元件包括第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的源極對應連接;所述第三開關元件包括第三薄膜晶體管與第四薄膜晶體管,所述第三薄膜晶體管的源極與所述第四薄膜晶體管的源極對應連接;各薄膜晶體管的漏極連接在一起;
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