[發明專利]光伏裝置有效
| 申請號: | 201710225209.1 | 申請日: | 2017-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN106910787B | 公開(公告)日: | 2018-07-13 |
| 發明(設計)人: | 黃明政;程謙禮 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;鮑俊萍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摻雜區 基板 摻雜型 摻雜 重迭 第二電極 第一電極 光伏裝置 電連接 | ||
光伏裝置包含基板、第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、第一電極及第二電極。基板具有第一摻雜型;第一摻雜區位于基板內并具有第二摻雜型;第二摻雜區與第一摻雜區部分重迭并具有第一摻雜型,第二摻雜區的摻雜濃度大于基板的摻雜濃度;第三摻雜區部分重迭第一摻雜區及部分重迭第二摻雜區,并具有第二摻雜型,第三摻雜區的摻雜濃度大于第一摻雜區的摻雜濃度;第一電極設置基板上,并電連接第三摻雜區;第二電極設置于基板上,并電連接第二摻雜區。
技術領域
本發明一般關于一種光伏裝置,具體而言,本發明關于一種提升轉換效率的多接面光伏裝置。
背景技術
光伏電池(photovoltaic cell)系為一種固態裝置,并借由光生伏打效應將陽光的能量轉換為電能。光伏電池一般是運用P型與N型半導體接合而形成P-N接面。當陽光照射到半導體(例如硅)時,會在P-N接面處產生電子與電洞對,所產生的電子將會受電場作用而移動至N型半導體處,電洞則移動至P型半導體處,因此便能在兩側累積電荷,借以導線連接而產生光電流。
然而,少數載子中,產生于P型中性區的電子或產生于N型中性區的電洞會快速地再結合,使得光伏電池的轉換效能偏低,例如小于23%。
因此,如何提升光電流的轉換效率為光伏裝置的研發重點之一。
發明內容
本發明的一目的在于提供一種光伏裝置,其借由增加接面數目來提升光電流的轉換效率。
本發明的另一目的在于提供一種光伏裝置,其使電子、空穴在表面下移動距離較長形成”埋式通道”,以降低電子、空穴在表面的再結合率,進而提升產生的電壓。
于一實施例中,本發明提供一種光伏裝置,其包含基板、第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、第一電極及第二電極。基板具有相對的第一側及第二側,基板具有第一摻雜型;第一摻雜區位于基板的第一側,第一摻雜區具有第二摻雜型,第二摻雜型的摻雜類型相反于第一摻雜型;第二摻雜區位于基板的第一側且與第一摻雜區部分重迭,第二摻雜區具有第一摻雜型,且第二摻雜區的摻雜濃度大于基板的摻雜濃度;第三摻雜區位于基板的第一側,第三摻雜區部分重迭第一摻雜區及部分重迭第二摻雜區,第三摻雜區具有第二摻雜型,且第三摻雜區的摻雜濃度大于第一摻雜區的摻雜濃度;第一電極設置基板的第一側上,第一電極電連接第三摻雜區;第二電極設置基板的第一側上,第二電極電連接第二摻雜區。
于一實施例,光伏裝置更包含第四摻雜區,位于基板的第一側且與第三摻雜區部分重迭,其中第四摻雜區部分重迭第一摻雜區及部分重迭第二摻雜區,第四摻雜區具有第一摻雜型,且第四摻雜區的摻雜濃度大于第二摻雜區的摻雜濃度。
于一實施例,第二摻雜區通過電連接第四摻雜區以電連接第二電極。
于另一實施例中,本發明提供一種光伏裝置,其包含基板、多數第一摻雜區、多數第二摻雜區、多數第三摻雜區、第一電極及第二電極。基板具有相對的第一側及第二側,基板具有第一摻雜型;多數第一摻雜區沿第一方向間隔設置于基板的第一側,各第一摻雜區具有第二摻雜型,第二摻雜型的摻雜類型相反于第一摻雜型;多數第二摻雜區沿第一方向間隔設置于基板的第一側,且各第二摻雜區部分重迭相鄰的第一摻雜區,第二摻雜區具有第一摻雜型,且第二摻雜區的摻雜濃度大于基板的摻雜濃度;多數第三摻雜區沿與第一方向相交的第二方向間隔設置于基板的第一側,各第三摻雜區橫越多數第一摻雜區及多數第二摻雜區,第三摻雜區具有第二摻雜型,且第三摻雜區的摻雜濃度大于第一摻雜區的摻雜濃度;第一電極設置于基板的第一側上,第一電極電連接各第三摻雜區及各第一摻雜區;第二電極設置基板的第一側上,第二電極電連接各第二摻雜區。
于一實施例,光伏裝置更包含多數第四摻雜區,沿第二方向間隔設置于基板的第一側,各第四摻雜區橫越多數第一摻雜區及多數第二摻雜區,且各第四摻雜區部分重迭相鄰的第三摻雜區,第四摻雜區具有第一摻雜型,且第四摻雜區的摻雜濃度大于第二摻雜區的摻雜濃度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





