[發明專利]基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置

在審

• 申請號: 201710225015.1
• 申請日: 2017-04-07
• 公開（公告）號: CN106941283A
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: 董婭韻;沈浩博;李雯文;楊喜軍;唐厚君
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H02J50/10
• 分類號: H02J50/10;H01F38/14
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司31236
• 代理人: 郭國中

1.一種基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，包括發射線圈、接收線圈、負磁性移位平板及正磁性移位平板；其中

所述負磁性移位平板位于所述發射線圈與所述接收線圈之間，所述正磁性移位平板位于所述發射線圈或所述接收線圈外側。

2.根據權利要求1所述的基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，所述發射線圈與所述接收線圈之間的距離大于所述發射線圈及所述接收線圈的直徑。

3.根據權利要求1所述的基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，所述正磁性移位平板及所述負磁性移位平板均平行于所述發射線圈及所述接收線圈所在平面。

4.根據權利要求1所述的基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，所述正磁性移位平板及所述負磁性移位平板與所述發射線圈及所述接收線圈同軸設置。

5.根據權利要求1所述的基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，所述正磁性移位平板與所述發射線圈之間的距離等于所述負磁性移位平板與所述發射線圈之間的距離；或

所述正磁性移位平板與所述接收線圈之間的距離等于所述負磁性移位平板與所述接收線圈之間的距離。

6.根據權利要求1所述的基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，所述正磁性移位平板及所述負磁性移位平板為尺寸相同的正方形。

7.根據權利要求6所述的基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，所述正磁性移位平板及所述負磁性移位平板的最大尺寸小于工作波長的十分之一。

8.根據權利要求6所述的基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，所述正磁性移位平板及所述負磁性移位平板的邊長大于所述發射線圈與所述接收線圈的直徑。

9.根據權利要求1所述的基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，所述負磁性移位平板的磁導率參數μ₁和所述正磁性移位平板的磁導率參數μ₂分別滿足：

${\mathrm{\μ}}_1=\frac{w}{w-d},{\mathrm{\μ}}_2=\frac{w}{w+d};$

其中，w為所述正磁性移位平板或所述負磁性移位平板的厚度，d為所述正磁性移位平板和負磁性移位平板共同作用，使內部線圈在光學上等效移動的距離。

10.根據權利要求9所述的基于移位平板的無線電能傳輸線圈裝置，其特征在于，所述負磁性移位平板的磁導率張量μ‘_I滿足：

μ‘_I＝μ_I*(1+σ_N*i)；

其中，σ_N為所述負磁性移位平板的損耗系數；i為虛部單位；σ_N*i為材料的磁損耗；μ_I為所述負磁性超材料平板的理想磁導率張量，

所述正磁性移位平板的磁導率張量μ‘_II滿足：

μ‘_II＝μ_II*(1-σ_P*i)；

其中，σ_P為所述正磁性移位平板的損耗系數；i為虛部單位；σ_P*i為材料的磁損耗；μ_II為所述正磁性超材料平板的理想磁導率張量，