[發明專利]用于檢測x射線輻射的裝置和方法

在審

• 申請號: 201710224952.5
• 申請日: 2017-04-07
• 公開（公告）號: CN107272045A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: O·施密特;P·比歇勒;R·菲舍爾;S·F·特德
• 申請（專利權）人: 西門子醫療有限公司
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;G01T7/00;G01N23/04;H01L51/42;H01L51/48
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,潘聰

1.一種用于檢測x射線輻射的檢測裝置(10；20；30；40；50；60)，具有：

下層(13)，布置在下部電極(12)和中間電極(14；21)之間，其中所述下層(13)特征為具有至少一個第一鈣鈦礦，并且其中第一電壓能夠施加在所述下部電極(12)和所述中間電極(14；21)之間；

上層(15)，布置在上部電極(16)和所述中間電極(14；21)之間，其中所述上層(15)特征為具有至少一個第二鈣鈦礦，并且其中第二電壓能夠施加在所述上部電極(16)和所述中間電極(14；21)之間；和

評估設備(17)，耦合至所述上層(15)和所述下層(13)，并且被體現為檢測x射線輻射與所述第一鈣鈦礦的相互作用、以及x射線輻射與所述第二鈣鈦礦的相互作用。

2.根據權利要求1所述的檢測裝置(10；20；30；40；50；60)，

其中所述第二鈣鈦礦在第一能量范圍內具有比所述第一鈣鈦礦更高的吸收率；和

其中所述第一鈣鈦礦在比所述第一能量范圍高的第二能量范圍內具有比所述第二鈣鈦礦更高的吸收率。

3.根據權利要求2所述的檢測裝置(10；20；30；40；50；60)，其中所述第一能量范圍介于15keV和30keV之間。

4.根據權利要求2或3中的其中一項所述的檢測裝置(10；20；30；40；50；60)，其中所述第二能量范圍介于50keV和120keV之間。

5.根據前述權利要求中的其中一項所述的檢測裝置(10；20；30；40；50；60)，其中所述上層(15)的厚度小于所述下層(13)的厚度。

6.根據前述權利要求中的其中一項所述的檢測裝置(10；20；30；40；50；60)，其中具有至少一種空穴阻擋材料和/或至少一種電子阻擋材料的涂層被體現在所述上層(15)和所述上部電極(16)之間、和/或所述上層(15)和所述中間電極(14)之間、和/或所述下層(13)和所述中間電極(14)之間、和/或所述下層(13)和所述下部電極(12)之間。

7.根據前述權利要求中的其中一項所述的檢測裝置(10；20；30；40；50；60)，其中所述上部電極(16)和/或所述下部電極(12)被結構化并且通過矩陣電路耦合至所述評估設備(17)，其中所述評估設備(17)被體現為以空間分辨方式檢測所述x射線輻射與所述第一鈣鈦礦的所述相互作用、和/或所述x射線輻射與所述第二鈣鈦礦的所述相互作用。

8.根據前述權利要求中的其中一項所述的檢測裝置(10；20；30；40；50；60)，其中所述評估設備(17)具有多個評估單元，并且其中所述上部電極(16)和/或所述下部電極(12)被結構化并且具有多個上部電極元件(100)或下部電極元件(102)，所述上部電極元件(100)或下部電極元件(102)分別耦合至多個評估單元。

9.根據前述權利要求中的其中一項所述的檢測裝置(10；20；30；40；50；60)，其中所述中間電極包括x射線過濾器。

10.一種用于檢測x射線輻射的檢測裝置的制造方法，具有以下步驟：

在襯底上布置(S1)特征為具有至少一個第一鈣鈦礦的下層(13)；

在所述下層(13)和上層(15)之間布置(S2)中間電極(14；21)，其中所述上層(15)特征為具有至少一個第二鈣鈦礦；

其中上部電極(16)布置在所述上層(15)的背離所述中間電極(14；21)的一側上，并且其中下部電極(12)布置在所述下層(13)的背離所述中間電極(14；21)的一側上。

11.根據權利要求10所述的制造方法，其中所述襯底包括所述下部電極(12)。

12.根據權利要求10或11中的其中一項所述的制造方法，其中所述中間電極(14；21)在所述上層(21)和所述下層(13)之間的所述布置包括以下步驟：

在所述下層(13)上布置下部導電層(22)；

在所述上層(15)上布置上部導電層(24)；以及

通過中間導電層(23)將所述下部導電層(22)連接至所述上部導電層(24)，其中所述中間電極(21)包括所述下部導電層(22)、所述中間導電層(23)和所述上部導電層(24)。