[發明專利]顯示背板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201710224653.1 | 申請日: | 2017-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN107134459B | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 張文林 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 背板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明提出了顯示背板及其制作方法和顯示裝置。該顯示背板包括:襯底,該襯底具有顯示區,顯示區包括像素區,像素區設置有TFT單元,且該TFT單元包括:多個觸控電極,形成在襯底的一側;緩沖層,形成在襯底的一側且覆蓋多個觸控電極;第一遮光層,形成在緩沖層遠離襯底的一側,并用于使多個觸控電極電連接。本發明所提出的顯示背板,其觸控電極集成在顯示背板中,并利用遮光層實現觸控電極之間的電連接,從而可使顯示面板的厚度有效地降低,且將觸控面板集成在顯示背板上還可有效地降低其生產成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體的,本發明涉及顯示背板及其制作方法和顯示裝置。
背景技術
現階段的低溫多晶硅半導體技術廣泛應用在中小尺寸顯示領域,例如手機終端顯示中,其觸控面板大多情況下還是集成在顯示屏外部,這樣會造成顯示面板的厚度有所增加,從而與目前輕薄化的趨勢相背離。
所以,目前的顯示背板的結構仍有待改進。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。
本發明是基于發明人的下列發現而完成的:
本發明人在研究過程中發現一種可實現觸控功能的含有低溫多晶硅薄膜晶體管的顯示背板結構,利用其低溫多晶硅層的遮光層連接觸控電極,從而可實現內置觸控的功能,還可減少集成觸控的掩膜(Mask)個數,并能節約顯示背板的制作生產成本,且本發明的顯示背板還可應用在內嵌式LCD顯示領域,具有工業化生產的潛力。
有鑒于此,本發明的一個目的在于提出一種厚度輕薄化、生產成本降低或者內嵌式集成觸控的顯示背板。
在本發明的第一方面,本發明提出了一種顯示背板。
根據本發明的實施例,所述顯示背板包括:襯底,所述襯底具有顯示區,所述顯示區包括像素區,所述像素區設置有TFT單元,且所述TFT單元包括:多個觸控電極,所述多個觸控電極形成在所述襯底的一側;緩沖層,所述緩沖層形成在所述襯底的一側且覆蓋所述多個觸控電極;第一遮光層,所述第一遮光層形成在所述緩沖層遠離所述襯底的一側,并用于使所述多個觸控電極電連接。
發明人意外地發現,本發明實施例的顯示背板,其觸控電極集成在顯示背板中,并利用遮光層實現觸控電極之間的電連接,從而可將觸控面板集成在顯示背板上,進而使顯示面板的厚度有效地降低,還可有效地降低其生產成本。
另外,根據本發明上述實施例的顯示背板,還可以具有如下附加的技術特征:
根據本發明的實施例,所述襯底為陣列基板,且所述陣列基板包括:基底;膜層結構,所述膜層結構形成在所述基底的一側,所述TFT單元形成在所述膜層結構遠離所述基底的一側。
根據本發明的實施例,所述多個觸控電極包括:多個觸控接收電極,每個所述觸控接收電極沿第一方向延伸,所述多個觸控接收電極沿第二方向間隔設置;多個觸控反饋電極,所述多個觸控反饋電極以所述多個觸控接收電極為間隔,沿所述第二方向間隔設置;其中,所述第一方向與所述第二方向相互交叉。
根據本發明的實施例,所述第一遮光層包括多個第一子遮光層,每個所述第一子遮光層用于將相鄰兩個所述觸控反饋電極電連接。
根據本發明的實施例,所述TFT單元進一步包括:多個過孔,所述過孔形成在所述觸控反饋電極遠離所述襯底的一側并貫穿所述緩沖層,用于使所述第一子遮光層與相鄰兩個所述觸控反饋電極電連接。
根據本發明的實施例,形成所述第一遮光層的材料為選自鋁、鉬、釹化鋁、銅、鉬鈮的至少之一。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710224653.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種半導體存儲器件及其制備方法
- 下一篇:顯示裝置及其GOA電路
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





