[發明專利]用于測量晶片堆疊的層厚度和晶格缺陷的測量裝置和方法

有效

• 申請號: 201710222797.3
• 申請日: 2010-11-12
• 公開（公告）號: CN106996759B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: M.溫普林格
• 申請（專利權）人: EV集團E·索爾納有限責任公司
• 主分類號: G01B17/02
• 分類號: G01B17/02;G01B11/06;G01N29/04;G01N29/265;G01N29/27;G01N29/275;H01L21/66;H01L21/67;G01N21/95
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元

1.用于在分布于晶片堆疊（8）上的多個測量位置處測量和/或檢測晶片堆疊（8）的一個或多個層的層厚度和/或晶格缺陷的測量裝置，具有以下的特征：

-相對于該晶片堆疊（8）可移動的發送器（9），其用于發送電磁波形式的信號，

-與該發送器（9）一起相對于該晶片堆疊（8）可移動的接收器（10），其用于接收由該發送器（9）所發送的并在該晶片堆疊（8）處所反射的信號，以及

-用于分析由該接收器所接收的信號的分析單元，其中由該分析單元能區分由該晶片堆疊（8）的層之間的至少兩個過渡（15，18）所反射的信號，并能確定其相互之間的和/或到參考平面（R）的間距，并且其中能夠檢測該晶片堆疊（8）和/或該測量裝置（11）平行于該參考平面（R）的移動，并從而能夠檢測沿該參考平面（R）的每個測量位置的位置。

2.根據權利要求1所述的測量裝置，其中該測量裝置（11）能流線地被使用于晶片處理設備中。

3.根據權利要求1所述的測量裝置，其中該測量裝置（11）構造為對該晶片堆疊（8）無機械影響地與該晶片堆疊（8）有間距（H）地工作。

4.根據權利要求1所述的測量裝置，其中該發送器（9）與該接收器（10）能同時被用于檢測層厚度和晶格缺陷。

5.根據權利要求4所述的測量裝置，其中該發送器（9）與該接收器（10）能同時被用于以<10μm的層分辨率檢測層厚度和晶格缺陷。

6.根據權利要求5所述的測量裝置，其中該發送器（9）與該接收器（10）能同時被用于以<1μm的層分辨率檢測層厚度和晶格缺陷。

7.根據權利要求6所述的測量裝置，其中該發送器（9）與該接收器（10）能同時被用于以<0.1μm的層分辨率檢測層厚度和晶格缺陷。

8.根據前述權利要求1-7之一所述的測量裝置，其中借助該測量裝置（11）能測量間距小于5mm的相鄰測量位置。

9.根據權利要求8所述的測量裝置，其中借助該測量裝置（11）能測量間距小于3mm的相鄰測量位置。

10.根據權利要求9所述的測量裝置，其中借助該測量裝置（11）能測量間距小于1mm的相鄰測量位置。

11.根據前述權利要求1-7之一所述的測量裝置，其中該測量裝置適用于在研磨工藝或分離工藝期間就地測量。

12.根據前述權利要求1-7之一所述的測量裝置，其中具有與該發送器（9）和該接收器（10）機械耦合的干涉儀，用于在至少一個所述測量位置處來測量其到接納件（12）的接納面（16）的間距。

13.根據權利要求12所述的測量裝置，其中所述干涉儀是白光干涉儀。