[發明專利]有機薄膜晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201710222765.3
• 申請日: 2017-04-07
• 公開（公告）號: CN108695434B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 冉曉雯;蔡娟娟;陳俊智;劉洪銓;李宗玹;陳蔚宗
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，包含：

基板；

疏水層，覆蓋所述基板的表面；

氧化層，位于所述疏水層上，且所述氧化層具有多個區段；

親水層，位于所述氧化層的所述多個區段上，其中所述氧化層位于所述親水層與所述疏水層之間，所述親水層的形成方法包括將具有所述氧化層與所述疏水層的所述基板浸泡于親水溶液中，然后從所述親水溶液取出，使所述親水溶液附著在所述氧化層的所述多個區段上而未附著在所述疏水層上，待附著在所述氧化層的所述多個區段上的所述親水溶液固化后便形成所述親水層；

半導體層，位于所述親水層上，其中所述親水層位于所述半導體層與所述氧化層之間；以及

源極或漏極層，跨接于所述氧化層的所述多個區段上的所述半導體層上。

2.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化層的所述多個區段的長度方向大致平行。

3.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述源極或漏極層的長度方向大致垂直所述半導體層的長度方向。

4.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化層的所述多個區段的相鄰兩者之間具有溝槽，且所述疏水層從所述溝槽裸露。

5.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述疏水層的材質包含聚甲基三乙氧基硅烷。

6.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化層的材質包含硅的氧化物。

7.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述親水層的材質包含苯硫酚。

8.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述源極或漏極層的材質包含鋁。

9.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述基板的材質包含硅或硅的氧化物。

10.一種有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包含下列步驟：

形成疏水層覆蓋基板的表面；

在所述疏水層上形成圖案化的氧化層，使得所述氧化層具有多個區段；

將具有所述氧化層與所述疏水層的所述基板浸泡于親水溶液中，其中所述親水溶液與所述氧化層之間的鍵結力大于所述親水溶液與所述疏水層之間的鍵結力，且所述親水溶液的材質包含苯硫酚，所述氧化層的材質包含硅的氧化物，所述疏水層的材質包含聚甲基三乙氧基硅烷；

從所述親水溶液取出具有所述氧化層與所述疏水層的所述基板，使得所述氧化層的所述多個區段上形成親水層；

在所述親水層上形成半導體層；以及

形成源極或漏極層跨接于所述半導體層上。

11.如權利要求10所述的有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述疏水層上形成圖案化的所述氧化層的步驟包含：

在所述疏水層上形成光阻層；

圖案化所述光阻層，使所述光阻層具有多個開口，其中所述疏水層從所述多個開口裸露；

在所述光阻層上與所述多個開口中的所述疏水層上形成所述氧化層；以及

去除所述光阻層及所述光阻層上的所述氧化層。

12.如權利要求11所述的有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述疏水層與所述氧化層之間的鍵結力大于所述疏水層與所述光阻層之間的鍵結力。

13.如權利要求10所述的有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述疏水層是以涂布的方式覆蓋于所述基板的所述表面。

14.如權利要求10所述的有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述氧化層是以蒸鍍的方式形成于所述疏水層上。