[發明專利]一種四季海棠發芽及養護的方法

在審

• 申請號: 201710221570.7
• 申請日: 2017-04-06
• 公開（公告）號: CN106818444A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 于學斌;鮑青松;陶峰;于艷艷;鄭艷
• 申請（專利權）人: 北京市花木有限公司
• 主分類號: A01G31/00
• 分類號: A01G31/00
• 代理公司: 北京維正專利代理有限公司11508
• 代理人: 鄭興旺

技術領域

本發明涉及四季海棠的發芽方法，更具體的說，它涉及一種四季海棠發芽及養護的方法。

背景技術

四季海棠別名四季秋海棠，秋海棠科，秋海棠屬肉質草本。四季海棠是秋海棠植物中栽培最普遍的種類，其株型圓整、花多而密集，極易與其他花壇植物配植、而且觀賞期較長。

常用的發芽、養護方法是播種到穴盤或者苗盤之后，直接放置到溫室或者拱棚中發芽。四季海棠受溫度、光照等因素影響較大，在溫室或者拱棚中發芽時，發芽溫度、光照以及空氣濕度不穩定，導致四季海棠發芽率低、以及發芽不整齊，影響觀賞效果。

發明內容

本發明的目的在于提供一種四季海棠發芽及養護的方法，在發芽室使用苗盤發芽，提高四季海棠種苗一致性。

本發明的上述目的是通過以下技術方案得以實現的：一種四季海棠發芽及養護的方法，包括以下步驟：

步驟一：選取基質，基質包括泥炭和珍珠巖，二者的體積比為8:2；

步驟二：采用苗盤播種的方式將基質填充在苗盤中；

步驟三：將四季海棠種子撒在步驟二中的苗盤中；

步驟四：將步驟三中的苗盤放入發芽室，調整發芽室的溫度為20-26℃，濕度為85％-95％，光照強度2000-4000lux，每隔一天施一次肥至四季海棠種苗長出第一片真葉直徑達到1cm；

步驟五：將步驟四中的四季海棠種苗移至生產溫室，煉苗4-5天，生產溫室光照不高于10000lux；

步驟六：對步驟五中的四季海棠分苗移栽至穴盤，并對大小苗進行分級。

采用以上技術方案，選取泥炭和珍珠巖作為四季海棠種子的培養基質，泥炭通透性比較好，并且質量輕，利于保水保肥，為四季海棠種子提供豐富的營養物質。珍珠巖內部有大量孔隙，與泥炭復配，具有很好的保溫效果，為種子發育提供足夠的溫度。

將基質填充在苗盤中，在基質上撒種。將撒播有四季海棠種子的苗盤放置在發芽室內，調整發芽室的溫度、濕度和光照強度保持在一定的范圍內，發芽室可以為四季海棠種子的生長提供穩定的環境，每隔一天施一次肥，肥料與泥炭結合為四季海棠種子的生長提供足夠的氮磷鉀，四季海棠種子在該環境下生長一致性較好。

當四季海棠的第一片真葉長至1cm長時，將其移至生產溫室，進行煉苗，但在此過程中為了避免光照過強對種苗造成不可逆的損傷，調整生產溫室的光照不高于10000lux。

經過煉苗的四季海棠種苗生長穩定，可以移動至穴盤培育。

進一步地，步驟一中的泥炭的纖維長度為0-10mm，pH值5.8-6.0，EC值<0.5mmhos/cm；珍珠巖的粒徑為2-4mm。

進一步地，泥炭和珍珠巖混配之后加水，基質濕度達到60％-70％。

采用以上技術方案，泥炭中的纖維和珍珠巖配合，泥炭包裹珍珠巖形成交聯的基質體系，珍珠巖保護泥炭中纖維的營養物質，為四季海棠種子萌發提供足夠的營養。

進一步地，步驟二中基質填充在苗盤中的步驟包括：

S1、苗盤底部均勻鋪設一層陶粒，陶粒的直徑大小為2-3cm；

S2、在陶粒之上鋪設一層步驟一制備的基質，基質上表面距離苗盤上沿1.5-2cm；S3、在S2的基質上鋪直徑為2-3mm的細基質，厚度為5mm，在苗盤內噴水，濕潤的基質表面距離盤沿1-1.5cm。

采用以上技術方案，苗盤中填充的基質從下至上依次為陶粒、泥炭和珍珠巖復配的基質和細基質，陶粒顆粒比較大，其內部含有大量孔隙，可以保存一定的水分。當水分太多時，多余的水又可以從陶粒之間的間隙處流出，避免臭根。泥炭和珍珠巖復配的基質提供足夠的營養物質，位于最上層的細基質類似透氣保水膜，減少苗盤內基質水分蒸發太快，同時保證苗盤中基質的通透性，為四季海棠種子提供足夠的氧氣。

進一步地，步驟三中播種方式為將丸粒化種子撒在步驟二制備的基質表面或者采用細砂與裸種混合均勻撒在步驟二制備的基質表面。

進一步地，步驟四中四季海棠子葉展開后，發芽室溫度降低至22-24℃，空氣濕度調節為90％，采用14-0-14復合肥和20-10-20復合肥交替給種苗施肥，第一次采用14-0-14，施肥濃度為氮含量50ppm，第二次采用20-10-20，施肥濃度為氮含量75ppm，每次施肥比上次施肥氮含量增加25ppm；施肥后，使用清水沖洗葉片。