[發(fā)明專利]薄膜晶體管、其制備方法、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710221302.5
• 申請日: 2017-04-06
• 公開（公告）號: CN108695394A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐攀;李永謙;袁志東;蔡振飛;袁粲;李蒙
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管、其制備方法、陣列基板及顯示裝置，由于柵電極具有底部以及由底部的邊緣向面向有源層方向延伸的側(cè)壁，柵電極的底部在襯底基板的正投影覆蓋有源層在襯底基板的正投影，且柵電極的側(cè)壁作為有源層的側(cè)面的遮光層。即利用柵電極的底部幫有源層阻擋來自下方的光，利用柵電極的側(cè)壁幫有源層阻擋橫向方向射來的光，避免有源層的側(cè)面受光照射，從而可以整體降低光對有源層的照射，保證薄膜晶體管的器件特性的穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種薄膜晶體管、其制備方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著平板顯示行業(yè)的發(fā)展，對顯示裝置的要求越來越高，其中對面板中薄膜晶體管的遷移率也提出了更高的要求。目前，現(xiàn)有的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)一般為非晶硅薄膜晶體管，非晶硅薄膜晶體管即薄膜晶體管的有源層為非晶硅材料，非晶硅薄膜晶體管的載流子的遷移率較低，其電子遷移率為0.1-1cm²V^-1s^-1，不能適應(yīng)目前顯示行業(yè)的發(fā)展。因此開發(fā)了低溫多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly Silicon)薄膜晶體管和氧化物(Oxide)薄膜晶體管。

LTPS薄膜晶體管即薄膜晶體管的有源層為低溫多晶硅材料，低溫多晶硅是指在較低溫度下將非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч瑁琇TPS薄膜晶體管其載流子遷移率很高約為100-500cm²V^-1s^-1，但是其均勻性問題很難解決，因而在面向大尺寸面板的應(yīng)用時，出現(xiàn)了很難克服的障礙。氧化物薄膜晶體管即薄膜晶體管的有源層為氧化物半導(dǎo)體材料，氧化物薄膜晶體管在保證較好的大尺寸均勻性的前提下，可以做到其載流子遷移率為10cm²V^-1s^-1。因此，氧化物薄膜晶體管由于遷移率高、均一性好、透明以及制作工藝簡單，可以更好地滿足大尺寸顯示面板的需求，而備受人們的關(guān)注。

但是氧化物薄膜晶體管其器件特性容易受光照影響，一般光包括外界的自然光和顯示器自身發(fā)出的光。通常氧化物薄膜晶體管在光照之后閾值電壓會向負向偏移，特別是在OLED顯示器中閾值電壓的偏移會造成顯示品質(zhì)的下降以及顯示的亮度的不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管、其制備方法、陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的光照對薄膜晶體管的影響。

本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管，包括：襯底基板，依次位于所述襯底基板上柵電極，柵極絕緣層，有源層和源漏電極；

所述柵電極具有底部以及由所述底部的邊緣向面向所述有源層方向延伸的側(cè)壁，所述柵電極的底部在所述襯底基板的正投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板的正投影，且所述柵電極的側(cè)壁作為所述有源層的側(cè)面的遮光層。

較佳地，在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，所述柵電極的側(cè)壁相對所述柵電極的底部的高度大于或等于所述有源層的上表面相對所述柵電極的底部的高度。

較佳地，在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，所述柵電極的側(cè)壁包圍對應(yīng)的所述有源層。

較佳地，在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，所述柵電極面向所述有源層一側(cè)設(shè)置有凹槽，所述凹槽的底部構(gòu)成所述柵電極的底部，所述凹槽的側(cè)壁構(gòu)成所述柵電極的側(cè)壁。

較佳地，在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，，所述襯底基板面向所述柵電極一側(cè)設(shè)置有凹槽，所述柵電極的底部覆蓋所述凹槽的底部，所述柵電極的側(cè)壁貼覆于所述凹槽的側(cè)壁上。

較佳地，在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，還包括位于所述源漏電極上方的鈍化層；和/或

位于所述有源層與所述源漏電極之間的刻蝕阻擋層；所述源漏電極通過貫穿所述刻蝕阻擋層的過孔與所述有源層電連接。