[發(fā)明專利]高電子遷移率晶體管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710220931.6
• 申請(qǐng)日: 2017-04-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108695384A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李寶國(guó);陳容傳;多新中;馬勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京華通芯電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京英創(chuàng)嘉友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11447
• 代理人: 姚再英;魏嘉熹

1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括：襯底、溝道層、勢(shì)壘層、漏極、柵極、源極以及多個(gè)保護(hù)層，所述襯底、所述溝道層、所述勢(shì)壘層由下至上依次堆疊，所述源極和所述漏極分別形成在所述勢(shì)壘層上表面的左右兩端，所述柵極形成在所述源極和所述漏極之間且分別與所述源極和所述漏極間隔；

所述多個(gè)保護(hù)層堆疊設(shè)置在所述源極和所述漏極之間的所述勢(shì)壘層的上表面且覆蓋在所述柵極上；

所述多個(gè)保護(hù)層中的每個(gè)保護(hù)層包括鈍化層和形成在所述鈍化層上的屏蔽層，所述多個(gè)保護(hù)層中的屏蔽層從所述柵極的邊緣自下而上逐漸趨近所述漏極；

所述多個(gè)保護(hù)層中位于最下方的屏蔽層與所述柵極在垂直于所述勢(shì)壘層上表面方向上的投影至少部分重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)層中最下方的鈍化層的厚度均勻；

所述位于最下方的鈍化層包括：位于所述源極和所述柵極之間的左半鈍化層、位于所述柵極和所述漏極之間的右半鈍化層以及覆蓋在所述柵極表面的中間鈍化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述最下方的屏蔽層從所述中間鈍化層的上表面延伸到所述右半鈍化層的上表面且所述屏蔽層的厚度均勻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3任一項(xiàng)所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)層中的其余屏蔽層的形狀與所述最下方的屏蔽層的形狀相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)層中的屏蔽層在垂直于所述勢(shì)壘層上表面方向上的投影至少部分重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)層中的屏蔽層在垂直于所述勢(shì)壘層上表面方向上的投影之間的間隔距離小于或等于0.2um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)層中的屏蔽層分別與所述源極電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)層中的屏蔽層的長(zhǎng)度為大于0.5um。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)層中的屏蔽層的方塊電阻阻值小于10Ω。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)層中的鈍化層的材質(zhì)為SiN或SiO₂。