[發明專利]固體攝像裝置在審
| 申請號: | 201710220833.2 | 申請日: | 2017-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN107359171A | 公開(公告)日: | 2017-11-17 |
| 發明(設計)人: | 桑澤和伸;中村紀元;關澤充生 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 李輝,鄧毅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
1.一種固體攝像裝置,其具有:
第1傳輸晶體管,其包含第1光電二極管、第1柵電極和第1擴散層;
第2傳輸晶體管,其包含第2光電二極管、第2柵電極和第2擴散層;
第3傳輸晶體管,其包含第3光電二極管、第3柵電極和第3擴散層;
復位晶體管,其包含作為漏區域的擴散層及源區域的擴散層中的一方的第4擴散層、第4柵電極以及作為漏區域的擴散層及源區域的擴散層中的另一方的第5擴散層;以及
放大晶體管,其包含源區域的擴散層、漏區域的擴散層以及放大柵極,
所述第1擴散層、所述第2擴散層、所述第3擴散層和所述第4擴散層相互分開,
所述第1擴散層、所述第2擴散層、所述第3擴散層和所述第4擴散層經由布線而相互電連接,
所述復位晶體管的所述第4擴散層經由布線而與所述放大晶體管的所述放大柵極電連接,
所述放大晶體管的所述源區域的擴散層及所述漏區域的擴散層中的任一方經由布線而與所述復位晶體管的所述第5擴散層電連接,
所述第1光電二極管、所述第2光電二極管和所述第3光電二極管呈一維狀地排列。
2.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,
在將所述第1擴散層、所述第2擴散層和所述第3擴散層設定為了規定的形狀和面積的情況下,所述第1擴散層、所述第2擴散層和所述第3擴散層的形狀和面積包含在相對于該規定的形狀和面積為±10%以內的范圍內。
3.根據權利要求1或2所述的固體攝像裝置,其中,
在俯視時,在將從所述第1柵電極的靠所述第1光電二極管側的端部到所述第1擴散層的中心的距離、從所述第2柵電極的靠所述第2光電二極管側的端部到所述第2擴散層的中心的距離、以及從所述第3柵電極的靠所述第3光電二極管側的端部到所述第3擴散層的中心的距離設定為了規定的距離的情況下,從所述第1柵電極的靠所述第1光電二極管側的端部到所述第1擴散層的中心的距離、從所述第2柵電極的靠所述第2光電二極管側的端部到所述第2擴散層的中心的距離、以及從所述第3柵電極的靠所述第3光電二極管側的端部到所述第3擴散層的中心的距離包含在相對于該規定的距離為±10%以內的范圍內。
4.一種固體攝像裝置,其具有:
第1傳輸晶體管,其包含第1光電二極管、第1柵電極和第1擴散層;
第2傳輸晶體管,其包含第2光電二極管、第2柵電極和所述第1擴散層;
第3傳輸晶體管,其包含第3光電二極管、第3柵電極和第2擴散層;
復位晶體管,其包含作為漏區域的擴散層及源區域的擴散層中的一方的第3擴散層、第4柵電極以及作為漏區域的擴散層及源區域的擴散層中的另一方的第4擴散層;以及
放大晶體管,其包含源區域的擴散層、漏區域的擴散層以及放大柵極,
所述第1擴散層、所述第2擴散層和所述第3擴散層相互分開,
所述第1擴散層、所述第2擴散層和所述第3擴散層經由布線而相互電連接,
所述復位晶體管的所述第3擴散層經由布線而與所述放大晶體管的所述放大柵極電連接,
所述放大晶體管的所述源區域的擴散層及所述漏區域的擴散層中的任一方經由布線而與所述復位晶體管的所述第4擴散層電連接,
所述第1光電二極管、所述第2光電二極管和所述第3光電二極管呈一維狀地排列。
5.根據權利要求4所述的固體攝像裝置,其中,
在將所述第1擴散層和所述第2擴散層設定為了規定的形狀和面積的情況下,所述第1擴散層和所述第2擴散層的形狀和面積包含在相對于該規定的形狀和面積為±10%以內的范圍內。
6.根據權利要求4或5所述的固體攝像裝置,其中,
該固體攝像裝置具有第4傳輸晶體管,該第4傳輸晶體管包含第4光電二極管、第4柵電極和所述第2擴散層,
所述第1光電二極管、所述第2光電二極管、所述第3光電二極管和所述第4光電二極管呈一維狀地排列。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





