[發(fā)明專利]半導(dǎo)體納米紫外光探測(cè)及氣體傳感集成器件的制作和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710220410.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-04-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107091874A | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 祝元坤;趙爽;王現(xiàn)英 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01N27/48 | 分類號(hào)： | G01N27/48;G01R27/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司31001 | 代理人： | 吳寶根 |
| 地址： | 200093 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 納米 紫外光 探測(cè) 氣體 傳感 集成 器件 制作 應(yīng)用 | ||
1.一種半導(dǎo)體納米紫外光探測(cè)及氣體傳感集成器件的制作方法，其特征在于，具體包括如下步驟：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法，在p型Si/SiO2絕緣襯底表面中間段合成二維結(jié)構(gòu)ZnO半導(dǎo)體納米片；
2）利用電子束曝光方法、光刻以及鋁箔覆蓋方法制作做掩膜版，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)方法，沿步驟1）合成后的ZnO納米片兩端鍍制對(duì)稱Au/Ti金屬電極，金屬電極一部分在SiO2 絕緣襯底上，一部分在ZnO納米片上；
3）采用涂覆導(dǎo)電銀膠、焊接方法，從金屬電極位置引出外接導(dǎo)線；
4）采用PDMS、PMMA、PVC中任意一種聚合物涂覆金屬電極層，聚合物厚度為100~2000 nm；利用對(duì)紫外和可見光不透明的鋁箔遮擋除中間二維結(jié)構(gòu)ZnO半導(dǎo)體納米片以外的其他部分，完成半導(dǎo)體納米紫外光探測(cè)及氣體傳感集成器件制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體納米紫外光探測(cè)及氣體傳感集成器件的制作方法，其特征在于，所述p型Si/SiO2絕緣襯底的長(zhǎng)度范圍為1mm~20mm，其寬度范圍為1mm~20mm，p型Si襯底為單晶或多晶結(jié)構(gòu)，SiO2層厚度為100~500 nm，SiO2層完全覆蓋Si襯底；二維結(jié)構(gòu)ZnO半導(dǎo)體納米片長(zhǎng)寬比例范圍為100:1~2:1，厚度為1~100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體納米紫外光探測(cè)及氣體傳感集成器件的制作方法，其特征在于，所述步驟2）中Au/Ti金屬電極厚度為10~200 nm，具有相同寬度和長(zhǎng)度，單側(cè)寬度小于同方向ZnO納米片寬度的20%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一種半導(dǎo)體納米紫外光探測(cè)及氣體傳感集成器件的制作方法制成的半導(dǎo)體納米紫外光探測(cè)及氣體傳感集成器件應(yīng)用，其特征在于，在不同環(huán)境氣氛條件下探測(cè)紫外光信號(hào)，并且在探測(cè)紫外光信號(hào)的同時(shí)在室溫條件下檢測(cè)有機(jī)物分子。
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