[發(fā)明專利]晶片生成方法和加工進給方向檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710220144.1
• 申請日: 2017-04-06
• 公開（公告）號: CN107283078B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 平田和也
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: C03B33/02
• 分類號: C03B33/02
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

1.一種晶片生成方法，從圓柱形的單晶SiC錠生成晶片，該單晶SiC錠具有圓筒形的周面和圓形的上表面，在該周面上形成有第1定向平面和第2定向平面，該第2定向平面比該第1定向平面短而且與該第1定向平面垂直，在該單晶SiC錠中，c軸相對于與該上表面垂直的垂直軸朝向該第2定向平面傾斜，該c軸相對于該垂直軸在該第2定向平面?zhèn)染哂泻蚦面與該上表面所呈的偏離角相等的角，該c面與c軸垂直，其中，該晶片生成方法具有如下的工序：

加工進給方向檢測工序，對該c軸的傾斜方向與該第2定向平面是否呈直角進行確認，檢測與該c軸的傾斜方向呈直角的加工進給方向；

強度降低部形成工序，將激光光線的聚光點定位在距離該上表面的深度相當于要生成的晶片的厚度的位置，一邊使該單晶SiC錠與該聚光點在通過該加工進給方向檢測工序檢測出的所述加工進給方向上相對地移動，一邊對該單晶SiC錠照射對于SiC具有透過性的波長的激光光線，從而在相當于要生成的晶片的厚度的深度形成直線狀的強度降低部，該強度降低部由與該上表面平行的改質(zhì)層和從該改質(zhì)層沿著該c面伸長的裂紋構(gòu)成，

剝離面形成工序，在與該加工進給方向垂直的方向上隔開規(guī)定的間隔多次實施該強度降低部形成工序，從而形成剝離面；以及

晶片生成工序，在實施了該剝離面形成工序之后，以該剝離面為界面將該單晶SiC錠的一部分剝離而生成晶片，

所述加工進給方向檢測工序包含如下的工序：

采樣工序，在與該第2定向平面平行的方向和以該第2定向平面為基準繞順時針和逆時針各傾斜規(guī)定的角度的多個方向上分別進行樣本照射，從而形成多個直線狀的樣本強度降低部，該樣本強度降低部由與該上表面平行的改質(zhì)層和從該改質(zhì)層沿著該c面伸長的裂紋構(gòu)成，其中，該樣本照射將聚光點定位在距離該上表面規(guī)定的深度的位置，一邊使該單晶SiC錠與該聚光點相對地移動，一邊對該單晶SiC錠照射對于SiC具有透過性的波長的激光光線；以及

確定工序，通過拍攝單元對該多個樣本強度降低部各自進行拍攝，根據(jù)該拍攝單元所拍攝的圖像對該多個樣本強度降低部各自的每單位長度中存在的節(jié)的個數(shù)進行計測，將節(jié)的個數(shù)為0個的樣本強度降低部所延伸的方向確定為加工進給方向。

2.一種加工進給方向檢測方法，對從圓柱形的單晶SiC錠生成晶片時的加工進給方向進行檢測，該單晶SiC錠具有圓筒形的周面和圓形的上表面，在該周面上形成有第1定向平面和第2定向平面，該第2定向平面比該第1定向平面短而且與該第1定向平面垂直，在該單晶SiC錠中，c軸相對于與該上表面垂直的垂直軸朝向該第2定向平面傾斜，該c軸相對于該垂直軸在該第2定向平面?zhèn)染哂泻蚦面與該上表面所呈的偏離角相等的角，該c面與該c軸垂直，其中，該加工進給方向檢測方法具有如下的工序：

采樣工序，在與該第2定向平面平行的方向和以該第2定向平面為基準繞順時針和逆時針各傾斜規(guī)定的角度的多個方向上分別進行樣本照射，從而形成多個直線狀的樣本強度降低部，該樣本強度降低部由與該上表面平行的改質(zhì)層和從該改質(zhì)層沿著該c面伸長的裂紋構(gòu)成，其中，該樣本照射將聚光點定位在距離該上表面規(guī)定的深度的位置，一邊使該單晶SiC錠與該聚光點相對地移動，一邊對該單晶SiC錠照射對于SiC具有透過性的波長的激光光線；以及

確定工序，通過拍攝單元對該多個樣本強度降低部各自進行拍攝，根據(jù)該拍攝單元所拍攝的圖像對該多個樣本強度降低部各自的每單位長度中存在的節(jié)的個數(shù)進行計測，將節(jié)的個數(shù)為0個的樣本強度降低部所延伸的方向確定為加工進給方向。