[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710218235.1
• 申請日: 2017-04-05
• 公開（公告）號(hào): CN108695236A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林杰;徐鸞
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供前端器件，所述前端器件中形成有接觸孔開口；

處理所述接觸孔開口的底部，以使在形成所述接觸孔開口時(shí)在所述接觸孔開口的底部形成的接觸界面復(fù)合物破碎；

對所述前端器件的表面進(jìn)行處理，以改善所述表面與清洗液的接觸性能；

采用清洗液去除所述接觸界面復(fù)合物。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述前端器件包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極和源/漏極、覆蓋所述柵極和源/漏極的接觸孔刻蝕阻擋層以及位于所述接觸孔刻蝕阻擋層之上的層間介電層，所述接觸孔開口貫穿所述層間介電層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，處理所述接觸孔開口底部的方法包括干法刻蝕。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述干法刻蝕的蝕刻氣體包括氬氣。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述前端器件的表面進(jìn)行處理包括采用低壓氣體進(jìn)行物理沖洗，氣體壓力為10mTorr-20mTorr。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述氣體包括N₂H₂和O₂。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用清洗液去除所述接觸界面復(fù)合物時(shí)，所述前端器件傾斜放置于清洗槽中。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述前端器件傾斜放置時(shí)與水平面的夾角為20°-45°。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗液包括酸性清洗液。

10.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述接觸孔刻蝕阻擋層包括氮化硅層。