[發明專利]微波介質部件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710218040.7
• 申請日: 2017-04-05
• 公開（公告）號: CN107022747B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 王志建;宋紅林;吳香蘭;白四平
• 申請（專利權）人: 武漢光谷創元電子有限公司
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;C23C14/20;C23C14/18;C23C14/32;C23C28/02;H03H9/19;H01P1/00
• 代理公司: 72001 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 周心志;劉林華

1.一種微波介質部件，包括：

微波介質基材；和

金屬層，所述金屬層結合在所述微波介質基材的表面上；

其中，所述金屬層包括導電籽晶層和金屬加厚層，所述導電籽晶層包括注入所述微波介質基材的表面內的離子注入層和附著在所述離子注入層上的等離子體沉積層，并且所述金屬加厚層附著在所述等離子體沉積層上，

其中，所述金屬層的內外表面均具有小于0.1微米的表面粗糙度，所述金屬加厚層沒有直徑超過10微米的針孔或凸出的毛刺，且直徑1微米以上且10微米以下的針孔數量是每1平方米500個以下，直徑在1微米以上且10微米以下的毛刺數量是每1平方米100個以下，并且所述微波介質部件在10GHz時的損耗因子小于0.005。

2.根據權利要求1所述的微波介質部件，其特征在于，所述微波介質基材還形成有孔，所述孔包括盲孔或通孔；其中，在所述孔的孔壁上結合有導電籽晶層和金屬加厚層，所述導電籽晶層包括注入所述孔壁內的離子注入層和附著在所述離子注入層上的等離子體沉積層，并且所述金屬加厚層附著在所述等離子體沉積層上。

3.根據權利要求1所述的微波介質部件，其特征在于，所述金屬層完全覆蓋所述微波介質基材，或者所述金屬層部分覆蓋所述微波介質基材而形成金屬線路圖形。

4.根據權利要求1所述的微波介質部件，其特征在于，所述微波介質基材的形狀為板狀，或者所述微波介質基材的形狀為其它幾何形狀，包括喇叭口狀、圓柱狀、圓臺狀、凹槽狀、球狀或其它非板狀的幾何形狀。

5.根據權利要求1所述的微波介質部件，其特征在于，所述微波介質基材是有機高分子微波介質基材，并且組成所述有機高分子微波介質基材的材料包括：LCP、PTFE、CTFE、FEP、PPE、PEEK、PE或合成橡膠。

6.根據權利要求1所述的微波介質部件，其特征在于，所述微波介質基材包括：玻纖布填料增強材料、陶瓷填料增強材料、陶瓷材料或玻璃材料；其中，所述玻纖布填料增強材料、陶瓷填料增強材料是以有機高分子材料為基礎材料并且以玻纖布填料、陶瓷填料為增強相的材料。

7.根據權利要求6所述的微波介質部件，其特征在于，所述有機高分子材料包括環氧樹脂、改性環氧樹脂、PTFE、PPO、CE或BT。

8.根據權利要求1所述的微波介質部件，其特征在于，所述微波介質基材包括石英晶體材料或壓電陶瓷材料。

9.根據權利要求1所述的微波介質部件，其特征在于，所述微波介質部件包括石英晶體諧振器部件、陶瓷諧振器部件、喇叭口狀天線微波介質部件或微波連接器接頭。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的微波介質部件，其特征在于，所述離子注入層位于所述表面或所述孔壁下方1-50納米的深度；并且，所述離子注入層包括Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一種，或者它們之間的合金中的一種或多種。

11.根據權利要求1-9中任一項所述的微波介質部件，其特征在于，所述等離子體沉積層具有1-500納米的厚度；并且，所述等離子體沉積層包括Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一種，或者它們之間的合金中的一種或多種。

12.根據權利要求1-9中任一項所述的微波介質部件，其特征在于，所述金屬加厚層具有0.1-50微米的厚度；并且所述金屬加厚層包括Cu、Ag、Al中的一種，或者它們之間的合金中的一種或多種。

13.根據權利要求1-9中任一項所述的微波介質部件，其特征在于，所述金屬層與所述微波介質基材之間的結合力為0.5N/mm以上。