[發明專利]存儲器及其編程方法、擦除方法和讀取方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201710217698.6
• 申請日: 2017-04-05
• 公開（公告）號: CN108695331B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 趙祥富;簡維廷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;G11C16/04
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

半導體襯底；

浮柵，設置在所述半導體襯底上；

隧穿氧化層，設置在所述浮柵的側壁上；

源極和漏極，分別設置在所述浮柵兩側的半導體襯底中；

第一選擇柵和第二選擇柵，并行設置在所述浮柵的兩側，所述第一選擇柵與所述浮柵之間以及所述第二選擇柵和所述浮柵之間通過所述隧穿氧化層隔離，其中，編程操作從所述第一選擇柵側的所述隧穿氧化層進行，擦除操作從所述第二選擇柵側的所述隧穿氧化層進行；

柵極介電層，所述柵極介電層設置在所述浮柵、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵以及所述隧穿氧化層與所述半導體襯底的表面之間。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一選擇柵面向所述側壁的表面的面積小于或等于所述側壁的面積。

3.如權利要求1或2所述的存儲器，其特征在于，所述第二選擇柵面向所述側壁的表面的面積小于或等于所述側壁的面積。

4.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一選擇柵由位于所述浮柵側壁上的間隔設置的至少兩個子選擇柵構成，和/或，所述第二選擇柵由位于所述浮柵側壁上的間隔設置的至少兩個子選擇柵構成。

5.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：

柵間介電層，設置在所述浮柵的表面上；

控制柵，設置在所述柵間介電層的表面上。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：

所述源極和所述漏極均具有第一導電類型。

7.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，在所述半導體襯底中還設置有第二導電類型的阱區，所述源極和所述漏極設置在所述阱區中。

8.一種如權利要求1至7之一所述的存儲器的編程方法，其特征在于，包括：

將控制柵、漏極和源極均浮置；

對所述第一選擇柵和所述第二選擇柵中的一個施加第一電壓；

對所述第一選擇柵和所述第二選擇柵中的另一個施加第二電壓，其中，所述第一電壓和所述第二電壓之間存在電勢差，電子從第一電壓和第二電壓中電勢低的一端注入到所述浮柵中，以實現所述編程。

9.如權利要求8所述的編程方法，其特征在于，所述第一電壓的數值范圍為6V～12V，所述第二電壓的數值范圍為2V～5V。

10.一種如權利要求1至7之一所述的存儲器的擦除方法，其特征在于，包括：

將控制柵、所述漏極和所述源極均浮置；

對所述第一選擇柵和所述第二選擇柵中的一個施加第三電壓；

對所述第一選擇柵和所述第二選擇柵中的另一個施加第四電壓，其中，所述第三電壓和所述第四電壓之間存在電勢差，以將存儲在所述浮柵中的電子從第三電壓和第四電壓中電勢高的一端移出，實現所述擦除。

11.如權利要求10所述的擦除方法，其特征在于，所述第三電壓高于所述第四電壓，所述第三電壓的數值范圍為6V～12V，所述第四電壓為0V或者負電壓。

12.一種如權利要求1至4之一所述的存儲器的讀取方法，所述存儲器包括設置在所述浮柵上的控制柵，以及分別設置在所述浮柵兩側的半導體襯底中的源極和漏極，其特征在于，所述讀取方法包括：

對所述控制柵施加開啟電壓，對所述源極施加0V或者負電壓，對所述漏極施加第五電壓，其中，所述第一選擇柵和所述第二選擇柵均浮置，所述開啟電壓和所述第五電壓為正電壓，并且所述第五電壓低于所述開啟電壓，以實現所述讀取。

13.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括如權利要求1至7之一所述的存儲器。