[發明專利]一種超薄鉬酸鎂納米片陣列及其制備方法有效
| 申請號： | 201710216509.3 | 申請日： | 2017-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN106927505B | 公開（公告）日： | 2019-02-22 |
| 發明（設計）人： | 張利鋒;賀文杰;劉毅;郭守武 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | C01G39/00 | 分類號： | C01G39/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人： | 劉國智 |
| 地址： | 710021 陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超薄 鉬酸 納米 陣列 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超薄鉬酸鎂納米片陣列的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：將六水氯化鎂與P123按照質量比(10-100):1混合配制成溶液A；
步驟2：將二水鉬酸鈉溶于乙二醇中配制成濃度為1-5毫摩爾/升的溶液B；
步驟3：將溶液A和B按照體積比2:(1-5)混合攪拌10-15分鐘，移至反應釜中，密封，恒溫水熱反應5-10小時，水熱反應溫度為140-180℃，反應結束后產物真空抽濾、洗滌、干燥；
步驟4：將步驟3所得產物與異丙醇按照質量比為1：(10-30)混合配制成懸濁液，超聲，靜置，產物離心、洗滌、干燥，將所得鉬酸鎂納米片在氬氣氣氛下煅燒1-3小時，煅燒溫度為400-700℃，得到超薄鉬酸鎂納米片陣列。
2.根據權利要求1所述的一種超薄鉬酸鎂納米片陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟4超聲時間為0.5-2小時。
3.根據權利要求1所述的一種超薄鉬酸鎂納米片陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟4靜置時間為12-48小時。
4.根據權利要求1所述的一種超薄鉬酸鎂納米片陣列的制備方法，其特征在于，所述鉬酸鎂納米片陣列是由鉬酸鎂納米片自組裝而成，納米片橫截面直徑為300-500nm，厚度為10-15nm。
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