[發明專利]顯影方法和顯影裝置

有效

• 申請號: 201710213294.X
• 申請日: 2017-04-01
• 公開（公告）號: CN107272354B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 橋本祐作;下青木剛;福田昌弘;田中公一朗
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

在形成有抗蝕劑膜并曝光后的半導體裝置的制造用的基板的面內進行顯影處理以使抗蝕劑圖案的尺寸的均勻性變高。實施以下工序：對上述的基板的表面供給顯影液進行顯影的顯影工序；接著，為了從上述基板將上述顯影液的一部分甩掉除去，以上述基板在繞中心軸的第一旋轉方向上旋轉的方式，使該基板的轉速上升的第一旋轉工序；和接著，為了將殘留在上述基板的上述顯影液從該基板甩掉除去，使上述基板在與上述第一旋轉方向相反的第二旋轉方向上旋轉的第二旋轉工序。由此，能夠防止基板的面內的各部中的顯影時間的不均，所以能夠在基板的各部以均勻性高的尺寸形成抗蝕劑圖案。

技術領域

本發明涉及對半導體裝置的制造用的基板進行顯影的技術。

背景技術

在半導體裝置的制造處理中的光刻中，在作為基板的半導體晶片(以下記為晶片)的表面形成抗蝕劑膜后，進行該抗蝕劑膜的曝光。該曝光，通過使沿電路圖案開口的掩模相對于晶片的表面相對地移動并且隔著該掩模斷續地對晶片照射光來進行。曝光后對晶片供給顯影液而形成抗蝕劑圖案。在專利文獻1中記載有供給該顯影液的方法。但是，在進行作為抗蝕劑圖案的尺寸的CD(Critical Dimension：臨界尺寸)的精細化時，要求提高晶片的面內的各部中的CD的均勻性。為此，不僅要求提高晶片的面內的各自進行了上述光照射(擊中)的區域(擊中區域)間的CD的均勻性，還要求提高擊中區域內的圖案的CD的均勻性。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-91274號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

作為使上述的擊中區域內的各部中的CD的均勻性降低的要因，本發明人認為是，將顯影液甩掉而從晶片除去時的擊中區域內的各部各自與顯影液相接的時間的偏差。在上述的專利文獻1中記載有，在供給顯影液在晶片的表面形成液滴時，使晶片的旋轉方向在一方和另一方之間切換，但是，沒有著眼于將上述的顯影液甩掉時的上述的問題，無法解決該問題。

本發明是鑒于這樣的情況而完成的，其課題在于，在形成有抗蝕劑膜并曝光后的半導體裝置的制造用的基板的面內進行顯影處理以使抗蝕劑圖案的尺寸的均勻性變高。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的顯影方法，其特征在于，包括：對形成有抗蝕劑膜并曝光后的半導體裝置的制造用的基板的表面供給顯影液進行顯影的顯影工序；接著，為了從上述基板將上述顯影液的一部分甩掉除去，以上述基板在繞中心軸的第一旋轉方向上旋轉的方式，使該基板的轉速上升的第一旋轉工序；和接著，為了將殘留在上述基板的上述顯影液從該基板甩掉除去，使上述基板在與上述第一旋轉方向相反的第二旋轉方向上旋轉的第二旋轉工序。

本發明的顯影裝置，其特征在于，包括：將形成有抗蝕劑膜并曝光后的半導體裝置的制造用的基板水平保持的基板保持部；使上述基板保持部旋轉，使上述基板繞中心軸旋轉的旋轉機構；對上述基板的表面供給顯影液的顯影液供給部；和控制部，其輸出控制信號，執行：對上述基板供給顯影液進行顯影的步驟；接著，為了從上述基板將上述顯影液的一部分甩掉除去，以上述基板在第一旋轉方向上旋轉的方式，使轉速上升的工序；和接著，為了將殘留在上述基板的上述顯影液從該基板甩掉除去，使上述基板在與上述第一旋轉方向相反的第二旋轉方向上旋轉的工序。

發明的效果

根據本發明，通過使進行了顯影的半導體裝置的制造用的基板在繞該基板的中心軸的第一旋轉方向上旋轉而甩掉顯影液后，使該基板在與第一旋轉方向相反的第二旋轉方向上旋轉，將殘留的顯影液甩掉。由此，能夠抑制該甩掉操作時晶片的面內的各部與顯影液相接而顯影的時間產生偏差的現象。其結果是，能夠提高基板的面內抗蝕劑圖案的尺寸的均勻性。

附圖說明

圖1是本發明所涉及的顯影裝置的縱截側視圖。

圖2是上述顯影裝置的俯視圖。