[發明專利]一種雙結薄膜太陽能電池組件的制作方法及其電池組件在審
| 申請號: | 201710212569.8 | 申請日: | 2017-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN108666391A | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發明(設計)人: | 顧世海 | 申請(專利權)人: | 北京創昱科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0687 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 底電池 頂電池 正面金屬電極層 生長 薄膜太陽能電池組件 電池結構 電池組件 倒置 隧道結 圖形化 雙結 絕緣層 背面金屬電極層 單元連接 電池單元 電性連接 多個電池 減反射層 外延方式 一次性 多晶 良率 制作 傳輸 覆蓋 | ||
本發明公開了一種雙結薄膜太陽能電池組件的制作方法及其電池組件,其由多個電池單元連接而成,每個電池單元包括底電池和頂電池,底電池上設有圖形化的絕緣層及與底電池電性連接的背面金屬電極層,頂電池上設有圖形化的正面金屬電極層,底電池為多晶Ge底電池,頂電池為GaAs頂電池,底電池各層和頂電池各層呈外延方式倒置生長,GaAs頂電池至多晶Ge底電池之間依次生長有隧道結N型區和隧道結P型區;正面金屬電極層上及未被正面金屬電極層覆蓋的頂電池上形成有減反射層。本發明采用倒置生長方式,有利于提高晶體質量,采用一次性生長完成電池結構,能夠簡化工藝,提高產品的良率,而且用Ge作為底電池不需要生長復雜的電池結構,有利于電流的傳輸。
技術領域
本發明涉及III-V族雙結薄膜電池領域,更具體地講,涉及一種雙結薄膜太陽能電池組件的制作方法及其電池組件。
背景技術
1954年世界上首次發現GaAs材料具有光伏效應, 20世紀60年代,Gobat等研制了第1個摻鋅GaAs太陽能電池,轉化率僅為9%~10%,遠低于27%的理論值。最早的單結晶體GaAs電池的做法和現在的單晶硅做法基本相同,但是作為直接禁帶半導體,吸收層厚度只需要幾個微米,晶體GaAs無疑是巨大的浪費。
20世紀70年代,IBM公司和前蘇聯Ioffe技術物理所等為代表的研究單位,采用LPE(液相外延)技術引入GaAlAs異質窗口層,降低了GaAs(砷化鎵)表面的復合速率,使GaAs太陽電池的效率達16%。不久,美國的HRL(Hughes Research Lab)及Spectrolab通過改進LPE技術使得電池的平均效率達到18%,并實現批量生產,開創了高效率砷化鎵太陽電池的新時代。
從上世紀80年代后,GaAs太陽能電池技術經歷了從LPE到MOCVD(Metal-organicChemical Vapor DePosition金屬有機化合物化學氣相淀積),從同質外延到異質外延,從單結到多結疊層結構,從LM結構到IMM結構等幾個發展階段,其發展速度日益加快,效率也不斷提高。目前最高效率已達到單結28.8%(alta devices),三結44.4%(Sharp IMM),四結實驗室最高接近50%( Fhg-ISE )
目前鍺襯底的三結GaAs電池是研究的重點,雙結GaAs電池的研究比較少,通常雙結電池都采用GaAs和InGaP作為底電池和頂電的雙結電池,用電學和光學低損耗的隧道結連接而成。雙結必須要考慮底電池和頂電池的禁帶寬度匹配問題,對于AM0來說,最佳的禁帶寬度是1.23eV和1.97eV,理論效率可以達到35.8%。目前技術上比較可行的是采用晶格匹配的材料從而放寬了對禁帶寬度Eg的要求,而且由于底電池的禁帶寬度是1.42eV,頂電池是1.9eV左右,兩者的差值只有0.48eV左右,并且底電池的禁帶寬度過大,不能吸收900nm以上波長的光線、最終的是造成底電池的光生電流密度小于頂電池的電流密度,導致二者的光生電流不匹配,會嚴重降低了電池的內量子效率。
雙結GaAs電池通常都是GaAs作為襯底、GaAs和InGaP分別作為底電池和頂電池的雙結電池,這種雙結電池成本比單結GaAs電池高,外延的成本幾乎是單結的兩倍,但效率比單結的稍微高一點,目前單結最高效率28.8%、雙結最高效率30.8%,還需要使用大量的銦作為原材料。
另外,雙結GaAs和GaInP的吸收層厚度都比較大,導致電池整體厚度大于10μm。而柔性薄膜電池的厚度一般要求在1-10μm之間,此類雙結電池無法實現電池柔性。
發明內容
為了實現雙結III-V族電池的柔性化,降低雙結電池的制造成本,提高電池的發電效率,本發明提供了一種雙結薄膜太陽能電池組件的制作方法及其電池組件。
為解決上述技術問題,本發明的技術方案為:
一方面,本發明提供了一種雙結薄膜太陽能電池組件的制作方法,所述方法包括如下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





