[發明專利]一種降低硅基光波導側壁粗糙度的方法有效
| 申請號： | 201710212517.0 | 申請日： | 2017-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN107132617B | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發明（設計）人： | 王桂磊;張嚴波;亨利·雷德森;李俊峰;趙超 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G02B6/13 | 分類號： | G02B6/13;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 硅基光 波導 側壁 粗糙 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低硅基光波導側壁粗糙度的方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成硅基光波導線條；
對含有所述硅基光波導線條的襯底進行氫氣退火，所述氫氣退火的腔室壓力為：20Torr-1atm；
所述氫氣退火中通入刻蝕性氣體，所述刻蝕性氣體為氯化氫；
在所述氫氣退火之前，對所述襯底進行RCA清洗處理；
所述氫氣退火的時間為：10-300s。
2.根據權利要求1所述的降低硅基光波導側壁粗糙度的方法，其特征在于，所述氫氣退火的溫度為：600-950℃。
3.根據權利要求1所述的降低硅基光波導側壁粗糙度的方法，其特征在于，所述氫氣退火的氫氣流量為：20-180L/min。
4.根據權利要求1所述的降低硅基光波導側壁粗糙度的方法，其特征在于，所述氯化氫的流量為：10-200sccm。
5.根據權利要求1所述的降低硅基光波導側壁粗糙度的方法，其特征在于，所述RCA清洗處理采用的是含氫氟酸的溶液。
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