[發明專利]基于NAND閃存的閾值電壓校驗方法、裝置和NAND存儲設備

在審

• 申請號: 201710212512.8
• 申請日: 2017-04-01
• 公開（公告）號: CN106971760A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 蘇志強;劉會娟;李建新
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50;G11C29/12;G11C16/10;G11C16/08;G11C11/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

1.一種基于NAND閃存的閾值電壓校驗方法，應用于NAND存儲設備，所述存儲設備包括多條字線和多個NAND存儲器單元，每條字線分別與對應的存儲器單元連接，其中，所述字線包括虛擬字線和數據字線，每組數據字線與每組虛擬字線相對應，其特征在于，所述方法包括：

在對所選存儲器單元進行擦除操作時，將所選存儲器單元對應的數據字線上的擦除電壓，加到與所述數據字線對應的虛擬字線上，以對該虛擬字線對應的存儲器單元執行擦除操作。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述擦除電壓加到與所述數據字線對應的虛擬字線上之后，所述方法還包括：

分別為加所述擦除電壓的虛擬字線加驗證電壓，并驗證與所述虛擬字線對應的存儲器單元的閾值電壓是否達到預設范圍，其中，所述驗證電壓小于存儲器單元的讀取電壓；

當驗證出所述閾值電壓沒有達到所述預設范圍時，在對所述所選存儲器單元再次進行擦除操作時，繼續將所選存儲器單元對應的數據字線上的擦除電壓，加到與所述數據字線對應的虛擬字線上；

重復執行上述操作，直到驗證所述閾值電壓達到所述預設范圍為止。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述驗證與所述虛擬字線對應的存儲器單元的閾值電壓是否達到預設范圍包括：

基于所述驗證電壓對所述虛擬字線對應的存儲器單元分別執行擦除驗證操作；

根據所述擦除驗證操作讀到數據1時，驗證出所述閾值電壓已達到所述預設范圍；

根據所述擦除驗證操作讀到數據0時，驗證出所述閾值電壓沒有達到所述預設范圍。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述驗證的次數不大于所述存儲器單元的預設擦除次數。

5.一種基于NAND閃存的閾值電壓校驗裝置，應用于NAND存儲設備，所述存儲設備包括多條字線和多個NAND存儲器單元，每條字線分別與對應的存儲器單元連接，其中，所述字線包括虛擬字線和數據字線，每組數據字線與每組虛擬字線相對應，其特征在于，所述裝置包括：

擦除電壓施加模塊，用于在對所選存儲器單元進行擦除操作時，將所選存儲器單元對應的數據字線上的擦除電壓，加到與所述數據字線對應的虛擬字線上，以對該虛擬字線對應的存儲器單元執行擦除操作。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

驗證模塊，用于在所述擦除電壓施加模塊將所述擦除電壓加到與所述數據字線對應的虛擬字線上之后，執行如下操作：

分別為加所述擦除電壓的虛擬字線加驗證電壓，并驗證與所述虛擬字線對應的存儲器單元的閾值電壓是否達到預設范圍，其中，所述驗證電壓小于存儲器單元的讀取電壓；

當驗證出所述閾值電壓沒有達到所述預設范圍時，在對所述所選存儲器單元再次進行擦除操作時，繼續將所選存儲器單元對應的數據字線上的擦除電壓，加到與所述數據字線對應的虛擬字線上；

重復執行上述操作，直到驗證所述閾值電壓達到所述預設范圍為止。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述驗證模塊包括：

驗證電壓施加單元，用于在所述擦除電壓施加模塊將所述擦除電壓加到與所述數據字線對應的虛擬字線上之后，分別為加所述擦除電壓的虛擬字線加驗證電壓；

驗證單元，用于基于所述驗證電壓對所述虛擬字線對應的存儲器單元分別執行擦除驗證操作，并且根據所述擦除驗證操作讀到數據1時，驗證出所述閾值電壓已達到所述預設范圍，根據所述擦除驗證操作讀到數據0時，驗證出所述閾值電壓沒有達到所述預設范圍；

驗證結果處理單元，用于在所述驗證單元驗證出所述閾值電壓沒有達到所述預設范圍時，控制所述擦除電壓施加模塊在對所述所選存儲器單元再次進行擦除操作時，繼續將所選存儲器單元對應的數據字線上的擦除電壓，加到與所述數據字線對應的虛擬字線上。

8.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述驗證的次數不大于所述存儲器單元的預設擦除次數。

9.一種NAND存儲設備，所述存儲設備包括固件、多條字線和多個NAND存儲器單元，每條字線分別與對應的存儲器單元連接，其中，所述字線包括虛擬字線和數據字線，每組數據字線與每組虛擬字線相對應，其特征在于，所述固件包括如權利要求5-8中任一項所述的基于NAND閃存的閾值電壓校驗裝置。