[發明專利]一種氣相可控型多晶硅還原爐

在審

• 申請號: 201710212422.9
• 申請日: 2017-04-01
• 公開（公告）號: CN108557824A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 程佳彪;張華芹
• 申請（專利權）人: 上海韻申新能源科技有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 上海愉騰專利代理事務所(普通合伙) 31306
• 代理人: 唐海波

1.一種氣相可控型多晶硅還原爐，所述還原爐包括底盤和爐體，爐體連接在底盤上且在爐體與底盤之間限定出反應器內腔，其特征在于，所述反應器內腔中設有多個電極，所述電極按規律布置在所述底盤上，所述底盤下設有雙層進氣系統和排氣系統，所述爐體頂部設有預熱系統，所述底盤上設有多個進氣噴嘴，所述雙層進氣系統包含雙層進氣環管和與雙層進氣環管相連的多個進氣管，所述進氣管分別與多個噴嘴一一對應連接，所述底盤上設有多個出氣口，所述排氣系統包括出氣盤管和與出氣盤管相連的多個出氣管，所述出氣管分別與多個出氣口一一對應連接，所述底盤上設有冷卻水流道，所述冷卻水流道包括設于底盤中心的進水口和多個排水口，所述排水口與多個出氣口一一對應設置。

2.根據權利要求1所述的氣相可控型多晶硅還原爐，其特征在于，所述底盤上設有電極孔，以所述多晶硅還原爐底盤中心為中心設一正六邊形，再以所述正六邊形的六條邊展開形成6個正六邊形，在形成的24個頂點上各分布1個電極孔，外圈電極孔按環向對稱緊湊布置，至少布置兩圈，形成至少36對電極孔，硅芯按照中心六邊形、外圈環向混合搭接。

3.根據權利要求2所述的氣相可控型多晶硅還原爐，其特征在于，所述7個正六邊形的中心分別設有1個進氣噴嘴，外圈的進氣噴嘴與環向搭接的硅芯形成同心圓環向布置至少三圈。

4.根據權利要求3所述的氣相可控型多晶硅還原爐，其特征在于，所述外圈任一環形的多個噴嘴和其相鄰的圈上的電極沿用向交錯布置。

5.根據權利要求3所述的氣相可控型多晶硅還原爐，其特征在于，所述出氣口按照內外圈組合布置,均布在外圈硅芯同心圓上，形成對稱布置。

6.根據權利要求1所述的氣相可控型多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體內設有高溫水冷卻腔，所述高溫冷卻腔連接有高溫冷卻水進口和高溫冷卻水出口，所述高溫冷卻水進口位于所述爐體的底部，所述高溫冷卻水出口位于所述爐體的頂部。

7.根據權利要求6所述的氣相可控型多晶硅還原爐，其特征在于，所述高溫水冷卻腔內由下至上環繞形成螺旋狀冷卻流道。

8.根據權利要求1至7之一所述的氣相可控型多晶硅還原爐，其特征在于，所述排水口連接有低溫冷卻管。

9.根據權利要求8所述的氣相可控型多晶硅還原爐，其特征在于，所述出氣口連接有低溫冷卻尾氣管。

10.根據權利要求8所述的氣相可控型多晶硅還原爐，其特征在于，所述預熱系統通過法蘭連接在還原爐頂部。