[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710210704.5
• 申請(qǐng)日: 2017-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106886111A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藍(lán)學(xué)新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括：基板，位于所述基板上交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定出的多個(gè)呈陣列排布的像素區(qū)域，以及位于所述像素區(qū)域內(nèi)的像素開(kāi)關(guān)、存儲(chǔ)電容、以及至少一個(gè)控制電容；其中，

所述像素開(kāi)關(guān)包括串聯(lián)連接的至少兩個(gè)晶體管；且各所述晶體管的柵極均與所述柵線相連，串聯(lián)連接的晶體管中的第一個(gè)晶體管與所述存儲(chǔ)電容的一端相連，串聯(lián)連接的晶體管中的最后一個(gè)晶體管與所述數(shù)據(jù)線相連；

所述控制電容的數(shù)量小于所述晶體管的數(shù)量；所述控制電容包括具有固定電位的第一電極端，以及具有與相鄰兩個(gè)所述晶體管之間的節(jié)點(diǎn)相同電位的第二電極端；所述控制電容用于在所述柵線停止加載有效柵極掃描信號(hào)時(shí)，控制所述控制電容的第二電極端的電位保持為所述數(shù)據(jù)線加載的數(shù)據(jù)信號(hào)電位。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素開(kāi)關(guān)包括的晶體管數(shù)量不大于三個(gè)。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述控制電容的數(shù)量為一個(gè)，所述控制電容的第二電極端的電位為所述第一個(gè)晶體管和相鄰的所述晶體管之間的節(jié)點(diǎn)電位。

4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述像素開(kāi)關(guān)包括串聯(lián)連接的第一晶體管和第二晶體管；所述第一晶體管和所述第二晶體管構(gòu)成雙柵極結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管均為N型晶體管，或均為P型晶體管。

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述控制電容的電容值小于所述存儲(chǔ)電容的電容值，且大于所述柵線與所述數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的電容值。

7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，一個(gè)所述像素區(qū)域內(nèi)存在多個(gè)所述控制電容，位于一個(gè)所述像素區(qū)域內(nèi)的各所述控制電容的電容值均相等。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，位于不同所述像素區(qū)域內(nèi)的各所述控制電容的電容值均相等。

9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容由像素電極和公共電極構(gòu)成；所述控制電容的第一電極端具有所述公共電極的電位，所述控制電容的第二電極端具有相鄰兩個(gè)所述晶體管之間連接的有源層的電位。

10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，各所述晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)，所述控制電容的第一電極端和/或第二電極端為設(shè)置于所述有源層與所述公共電極之間所在膜層的金屬電極。

11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述控制電容的第一電極端為與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且相互絕緣的第一金屬電極，所述控制電容的第二電極端為與所述第一金屬電極正對(duì)的所述有源層的區(qū)域。

12.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述控制電容的第一電極端為與所述柵線同層設(shè)置且相互絕緣的第二金屬電極，所述控制電容的第二電極端為與所述第二金屬電極正對(duì)的所述有源層的區(qū)域。

13.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述控制電容的第二電極端為與所述柵線同層設(shè)置且相互絕緣的第三金屬電極，所述控制電容的第一電極端為與所述第三金屬電極正對(duì)的所述公共電極的區(qū)域；

所述第三金屬電極與所述有源層電性相連。

14.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述控制電容的第一電極端為與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且相互絕緣的第四金屬電極，所述控制電容的第二電極端為與所述柵線同層設(shè)置且相互絕緣的第五金屬電極；

所述第五金屬電極與所述有源層電性相連。

15.如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，各所述晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，所述控制電容的第一電極端或第二電極端為與所述數(shù)據(jù)線或所述柵線同層設(shè)置且相互絕緣的金屬電極。

16.如權(quán)利要求15所述的陣列基板，其特征在于，所述控制電容的第一電極端為與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且相互絕緣的第六金屬電極，所述控制電容的第二電極端為與所述第六金屬電極正對(duì)的所述有源層的區(qū)域。