[發明專利]一種GaN聲電集成器件的制作方法

在審

• 申請號: 201710210383.9
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN106898547A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 陳一峰
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/8222
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙)51223
• 代理人: 徐豐

1.一種GaN聲電集成器件的制作方法，聲電集成器件外延結構從下至上依次包括：襯底、成核層、GaN過渡層、N-GaN集電區、P-GaN基區、N型發射區、N⁺-GaN帽層、期間隔離層和AlN層，其制作方法包括如下步驟：

步驟1：在外延結構的一側，采用光刻、刻蝕、金屬沉積、剝離等工藝，制作聲表面波濾波器電極，形成完整的聲表面波濾波器結構;

步驟2：采用光刻、刻蝕所述外延結構的中間部分，刻蝕深度從AlN層深入帽層表面，在露出的帽層兩側繼續刻蝕至基區表面，形成基區臺面，并在露出的基區臺面兩側繼續刻蝕至集電區表面；

步驟3：腐蝕所述外延結構的另一側區域，腐蝕深度從AlN層表面至P-GaN基區表面，并從該區域基區表面兩側繼續腐蝕至集電區表面，形成該區域的基區臺面；

步驟4：采用離子注入的方式，在所述聲表面波濾波器、異質結雙極型晶體管以及GaN二極管限幅器之間注入離子形成隔離器件，其注入深度從所述三個器件之間露出的集電區表面深入到GaN過渡層內；

步驟5：在所述帽層上表面和露出的基區臺面兩側以及基區一側所露出的集電區臺面上制作電極形成異質結雙極型晶體管器件；在二極管限幅器區域基區臺面上以及其一側的集電區臺面上設置電極形成GaN PN二極管限幅器結構;

步驟6：快速退火使電極形成歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的GaN聲電集成器件的制作方法，其特征在于：所述SAW電極包含Al、Mo、Ni。