[發(fā)明專利]復(fù)合磁性密封材料有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710209294.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107452690B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 川畑賢一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TDK株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L23/29 | 分類號(hào): | H01L23/29;H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;黃浩 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合 磁性 密封材料 | ||
本發(fā)明的目的在于提供一種熱膨脹系數(shù)低的復(fù)合磁性密封材料。本發(fā)明所涉及的復(fù)合磁性密封材料的特征在于:具備樹(shù)脂材料、被調(diào)配到所述樹(shù)脂材料并且調(diào)配比為30~85體積%的磁性填料。所述磁性填料是由在Fe中含有32~39重量%的將Ni作為主成分的金屬材料的材料構(gòu)成。由此,復(fù)合磁性密封材料的熱膨脹系數(shù)為15ppm/℃以下。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及復(fù)合磁性密封材料,特別是涉及作為電子電路封裝用鑄模材料最為適宜的復(fù)合磁性密封材料。
背景技術(shù)
近年來(lái),智能手機(jī)等電子設(shè)備處于一種高性能的無(wú)線電通信電路以及數(shù)字芯片被采用并且所使用的半導(dǎo)體IC的工作頻率也上升的傾向。再有,持有以最短配線連接多個(gè)半導(dǎo)體IC的2.5D結(jié)構(gòu)或3D結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP:system in package)化在加速并且可以預(yù)測(cè)電源系統(tǒng)電路的模塊化也會(huì)在今后不斷增加。再有,可以預(yù)測(cè)多個(gè)電子元件(電感器、電容器、電阻器、濾波器等被動(dòng)元件;晶體管、二極管等主動(dòng)元件;半導(dǎo)體IC等集成電路元件;對(duì)于其他電子電路構(gòu)成來(lái)說(shuō)必要的元件的總稱)被模塊化的電子電路模塊也會(huì)在今后得到日益發(fā)展。總稱這些技術(shù)的電子電路封裝正處于一種由于智能手機(jī)等電子設(shè)備的多功能化和小型化以及薄型化而被高密度安裝的傾向。這種傾向一方面會(huì)顯示由噪聲引起的誤動(dòng)作以及電磁干擾會(huì)變得明顯,一方面就一直以來(lái)的噪音對(duì)策而言防止誤動(dòng)作或電磁干擾是困難的。為此,近年來(lái),電子電路封裝的自屏蔽化正在不斷發(fā)展并且憑借導(dǎo)電性膏體法或者電鍍法和濺射法的電磁屏蔽的提案以及實(shí)用化也不斷在提高,總之今后會(huì)要求更高的屏蔽特性。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)展需求而在近年中有方案提出使鑄模材料自身持有磁屏蔽特性的電子電路封裝。例如,在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)有作為電子電路封裝用的鑄模材料有添加了具有氧化膜的軟磁性粉末的復(fù)合磁性密封材料。
然而,現(xiàn)有的復(fù)合磁性密封材料存在有所謂熱膨脹系數(shù)大的問(wèn)題。為此,在復(fù)合磁性密封材料與封裝基板或者電子元件之間會(huì)發(fā)生熱膨脹系數(shù)不匹配,其結(jié)果在鑄模成形后會(huì)在具有帶狀的集合基板的狀態(tài)下發(fā)生大的翹曲,并且單品化之后的電子電路封裝在安裝回流焊的時(shí)候會(huì)發(fā)生以致于在連接性方面發(fā)生問(wèn)題的那種程度的大翹曲。以下就該現(xiàn)象進(jìn)行說(shuō)明。
近年來(lái),對(duì)于半導(dǎo)體封裝或電子元件模塊來(lái)說(shuō)各種各樣的結(jié)構(gòu)體被提案并且被實(shí)用化,現(xiàn)在的主流一般是將半導(dǎo)體IC等電子元件安裝于有機(jī)多層基板上并且用樹(shù)脂密封材料來(lái)對(duì)其上部以及周圍實(shí)行鑄模成形的結(jié)構(gòu)。具有如此結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝或者電子元件模塊是在以集合基板的狀態(tài)被鑄模成形之后由憑借切割等的單品化處理來(lái)進(jìn)行制作的。
該結(jié)構(gòu)因?yàn)槲镄圆煌挠袡C(jī)多層基板和樹(shù)脂密封材料構(gòu)成所謂雙金屬材料,所以由于熱膨脹系數(shù)之差、玻璃轉(zhuǎn)移、鑄模材料的固化收縮等主要原因而發(fā)生翹曲。為了抑制該現(xiàn)象的發(fā)生而有必要盡可能使熱膨脹系數(shù)等物性相一致。近年來(lái),被用于板導(dǎo)體封裝或電子電路封裝的有機(jī)多層基板正處于一種由于薄型化的要求而越來(lái)越向薄層化以及多層化發(fā)展的傾向。為了實(shí)現(xiàn)既達(dá)到所述傾向又保證薄基板處理性能的高剛性以及低熱膨脹化而使用玻璃化溫度高的基板材料并將熱膨脹率低的填料添加于基板材料,因而使用更低熱膨脹系數(shù)的玻璃布成為一種普遍的舉措。
另外一方面,因?yàn)楸淮钶d于基板的半導(dǎo)體IC以及電子元件與鑄模材料之間的物性差也產(chǎn)生應(yīng)力,所以會(huì)引起鑄模材料的界面剝離、電子元件或鑄模材料的龜裂等各種各樣的問(wèn)題。將硅用于半導(dǎo)體IC,但是硅的熱膨脹系數(shù)為3.5ppm/℃,并且陶瓷電容器和電感器等燒制型貼片元件的熱膨脹系數(shù)為10ppm/℃左右。
為此,對(duì)于鑄模材料來(lái)說(shuō)也要求低熱膨脹化,在日本有市售的低于10ppm/℃那樣的材料。作為對(duì)鑄模材料實(shí)行低熱膨脹化的手法當(dāng)然是采用低熱膨脹的環(huán)氧樹(shù)脂,使用以高填充率將0.5ppm/℃的熱膨脹系數(shù)非常低的熔融二氧化硅調(diào)配到密封樹(shù)脂的手法。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本專利申請(qǐng)公開(kāi)平10-64714號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
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