[發明專利]以納米二氧化硅為添加物制備導電無機物的方法在審
| 申請號: | 201710208860.8 | 申請日: | 2017-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN106971791A | 公開(公告)日: | 2017-07-21 |
| 發明(設計)人: | 趙慧軍;方春 | 申請(專利權)人: | 合肥悅蘭信息技術有限公司 |
| 主分類號: | H01B13/00 | 分類號: | H01B13/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 二氧化硅 添加物 制備 導電 無機物 方法 | ||
1.一種以納米二氧化硅為添加物制備導電無機物的方法,其特征在于:以乙酸銀為基材,以納米二氧化硅作為添加劑,使乙酸銀表面吸附納米二氧化硅,再經過高溫煅燒,使乙酸銀分解和碳化,即可制備出導電的無機物;所述乙酸銀與納米二氧化硅的質量比為85:6。
2.根據權利要求1所述的以納米二氧化硅為添加物制備導電無機物的方法,其特征在于:所述納米二氧化硅以甘油為載體添加到乙酸銀中,與乙酸銀充分混合;甘油與乙酸銀的質量比為125:85,具體步驟為:將甘油加熱至45℃,然后與納米二氧化硅混合,采用微波震動加氣流攪拌的方式,使納米二氧化硅在甘油中分散均勻;然后將納米二氧化硅與甘油的混合物與乙酸銀混合,并采用氮氣流攪拌的方式持續攪拌20-30min,氮氣溫度為65℃,使乙酸銀表面吸附納米二氧化硅。
3.根據權利要求1所述的以納米二氧化硅為添加物制備導電無機物的方法,其特征在于:所述高溫煅燒是在真空環境下進行的,高溫煅燒溫度為430-480℃。
4.根據權利要求1所述的以納米二氧化硅為添加物制備導電無機物的方法,其特征在于:所述甘油的碳化率為92%-96%。
5.根據權利要求1所述的以納米二氧化硅為添加物制備導電無機物的方法,其特征在于:所述納米二氧化硅顆粒在使用前經過質量分數為2~3%的雙氧水浸泡,浸泡時間為15min,然后用純水漂洗干凈后干燥、打散。
6.根據權利要求1所述的以納米二氧化硅為添加物制備導電無機物的方法,其特征在于:所述納米二氧化硅粒徑分布在40~150納米范圍內。
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