[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體襯底的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710208601.5
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN108666209B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 三重野文健
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：

提供一襯底；

于所述襯底上形成外延層，所述襯底與所述外延層的交界面上及所述外延層的內(nèi)部具有雜質(zhì)缺陷，所述雜質(zhì)包括氧、碳和/或金屬，所述缺陷包括COP缺陷；

以第一波長的激光，對所述襯底和所述外延層進(jìn)行第一激光退火，所述第一激光退火的作用位置處于所述襯底和所述外延層的交界面上，以將該交界面上的所述雜質(zhì)缺陷清除；

以第二波長的激光，對所述外延層進(jìn)行第二激光退火，所述第二激光退火的作用位置處于所述外延層內(nèi)，以將所述外延層內(nèi)的雜質(zhì)缺陷清除；

所述第一波長大于所述第二波長。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，所述第二激光退火的作用位置與所述外延層頂面的間距介于3μm至10μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，所述第一波長介于600nm至1060nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，所述第二波長介于100nm至500nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，所述外延層的厚度介于8μm至20μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，

以第二波長的激光，對所述襯底和所述外延層進(jìn)行第二激光退火之前，還包括：

于所述外延層上形成阻擋層，所述阻擋層用于定義制備集成電路的芯片區(qū)；

所述以第二波長的激光，對所述外延層進(jìn)行第二激光退火，包括：

所述第二激光退火的作用區(qū)域覆蓋所述芯片區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，所述第一激光退火和所述第二激光退火均在氮?dú)夥諊羞M(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，所述第一激光退火和/或所述第二激光退火使用的激光器為寬發(fā)射域型激光器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底，所述外延層為硅外延層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體襯底的制作方法，其特征在于，所述硅外延層以SiH₄、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiCl₄和Si₂Cl₆中的一種或多種的組合作為反應(yīng)氣體生成。