[發明專利]一種可用作擋片或控片的晶片制備方法及晶片

有效

• 申請號: 201710208599.1
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN108666233B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 三重野文健
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種可用作擋片或控片的晶片制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底包括Si₃N₄陶瓷襯底；

于所述襯底上形成覆蓋層，所述覆蓋層包裹所述襯底、并覆蓋所述襯底的全部表面；所述覆蓋層包括SiC層或Si層。

2.根據權利要求1所述的可用作擋片或控片的晶片制備方法，其特征在于，所述提供襯底包括：

以SiN為原料，以Lu₂O₃作為燒結添加劑，使用等靜壓方法燒結形成Si₃N₄陶瓷襯底。

3.根據權利要求2所述的可用作擋片或控片的晶片制備方法，其特征在于，所述使用等靜壓方法燒結形成Si₃N₄陶瓷襯底包括：

在氮氣氛圍中，于壓強為10atm至200atm，以及溫度為1700℃至2200℃的條件下，燒結形成Si₃N₄陶瓷襯底。

4.根據權利要求2所述的可用作擋片或控片的晶片制備方法，其特征在于，所述使用等靜壓方法燒結形成Si₃N₄陶瓷襯底，包括：

在氮氣氛圍中，于壓強為50atm至100atm，以及溫度為1800℃至2000℃的條件下，燒結形成Si₃N₄陶瓷襯底。

5.根據權利要求1至4任一所述的可用作擋片或控片的晶片制備方法，其特征在于，當所述覆蓋層為SiC層時，于所述襯底上形成SiC覆蓋層包括：

以SiHCl₃和C₃H₈作為反應氣體，在溫度為1500℃至1700℃，以及壓強為600Torr至900Torr的條件下，于所述襯底上形成SiC層。

6.根據權利要求5所述的可用作擋片或控片的晶片制備方法，其特征在于，所述SiC層的厚度介于600μm至800μm。

7.根據權利要求1至4任一所述的可用作擋片或控片的晶片制備方法，其特征在于，當所述覆蓋層為Si層時，于所述襯底上形成Si覆蓋層，包括：

以SiHCl₃作為反應氣體，在溫度為1000℃至1500℃，以及壓強為600Torr至900Torr的條件下，于所述襯底上形成Si層。

8.根據權利要求7所述的可用作擋片或控片的晶片制備方法，其特征在于，所述Si層的厚度介于300μm至600μm。

9.一種晶片，其特征在于，所述晶片包括：

襯底，且所述襯底包括Si₃N₄陶瓷襯底；

覆蓋層，所述覆蓋層包裹所述襯底、并覆蓋所述襯底的全部表面；所述覆蓋層包括SiC層或Si層。

10.根據權利要求9所述的晶片，其特征在于，所述Si₃N₄陶瓷襯底為以SiN為原料，以Lu₂O₃作為燒結添加劑，在氮氣氛圍中，于壓強為10atm至200atm，以及溫度為1700℃至2200℃的條件下燒結形成的襯底。

11.根據權利要求9所述的晶片，其特征在于，所述Si₃N₄陶瓷襯底為SiN為原料，以Lu₂O₃作為燒結添加劑，在氮氣氛圍中，于壓強為50atm至100atm，以及溫度為1800℃至2000℃的條件下燒結形成的襯底。