[發明專利]一種含有氟代乙氧基化合物的液晶組合物及其應用在審
| 申請號: | 201710208539.X | 申請日: | 2017-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN108659860A | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發明(設計)人: | 陳卯先;姜天孟;陳海光;王杰;儲士紅;未欣;伍嘉琦;田會強 | 申請(專利權)人: | 北京八億時空液晶科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C09K19/44 | 分類號: | C09K19/44 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 郭奧博 |
| 地址: | 102502 北京市房山區燕山東風街道*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶組合物 負介電各向異性 乙氧基化合物 旋轉粘度 通式I 氟代 響應 負介電各向異性液晶 液晶顯示裝置 低溫互溶性 低粘度單體 結構化合物 液晶顯示器 極性單體 互溶性 氟苯 三環 應用 | ||
本發明涉及一種含有氟代乙氧基化合物的液晶組合物,其中包含至少一種通式I所代表的化合物以及至少一種通式II所代表的化合物。本發明通式I的化合物為三環含有2,3?二氟苯類結構化合物,該結構為負介電各向異性液晶化合物,具有大的負介電各向異性,可有效提升液晶組合物的負介電各向異性,減少極性單體使用,增加低粘度單體使用,降低體系的旋轉粘度,提升響應時間;通式II所代表的化合物具有較大的負介電各向異性和優異的互溶性。本發明所提供的液晶組合物具有低的旋轉粘度、良好的低溫互溶性以及快的響應時間,適用于VA/MVA/PVA/PSVA等VA類液晶顯示裝置以及IPS、FFS模式液晶顯示裝置。對于改善液晶顯示器的響應時間非常有效。
技術領域
本發明涉及一種液晶組合物,具體地說是一種向列相液晶組合物,確切地說本發明所提供的液晶組合物具有負的介電各向異性,更確切地說本發明所提供的液晶組合物中含有氟代乙氧基結構的液晶化合物。屬于液晶材料及其應用領域。
背景技術
目前,液晶在信息顯示領域得到了廣泛應用,同時在光通訊中的應用也取得了一定的進展(S.T.Wu,D.K.Yang.Reflective Liquid Crystal Displays.Wiley,2001)。近幾年,液晶化合物的應用領域已經顯著拓寬到各類顯示器件、電光器件、電子元件、傳感器等,向列型液晶化合物已經在平板顯示器中得到最為廣泛的應用,特別是用于TFT有源矩陣的系統中。
液晶顯示伴隨液晶的發現經歷了漫長的發展道路。1888年奧地利植物學家Friedrich Reinitzer發現了第一種液晶材料安息香酸膽固醇(cholesteryl benzoate)。1917年Manguin發明了摩擦定向法,用以制作單疇液晶和研究光學各向異性。1909年E.Bose建立了攢動(Swarm)學說,并得到L.S.Ormstein及F.Zernike等人的實驗支持(1918年),后經De Gennes論述為統計性起伏。G.W.Oseen和H.Zocher在1933年創立連續體理論,并得到F.C.Frank完善(1958年)。M.Born(1916年)和K.Lichtennecker(1926年)發現并研究了液晶的介電各向異性。1932年,W.Kast據此將向列相分為正、負性兩大類。1927年,V.Freedericksz和V.Zolinao發現向列相液晶在電場或磁場作用下,發生形變并存在電壓閾值(Freederichsz轉變)。這一發現為液晶顯示器的制作提供了依據。
1968年美國RCA公司R.Williams發現向列相液晶在電場作用下形成條紋疇,并有光散射現象。G.H.Heilmeir隨即將其發展成動態散射顯示模式,并制成世界上第一個液晶顯示器(LCD)。七十年代初,Helfrich及Schadt發明了TN原理,人們利用TN光電效應和集成電路相結合,將其做成顯示器件(TN-LCD),為液晶的應用開拓了廣闊的前景。七十年代以來,由于大規模集成電路和液晶材料的發展,液晶在顯示方面的應用取得了突破性的發展,1983~1985年T.Scheffer等人先后提出超扭曲向列相(Super Twisred Nematic:STN)模式以及P.Brody在1972年提出的有源矩陣(Active matrix:AM)方式被重新采用。傳統的TN-LCD技術已發展為STN-LCD及TFT-LCD技術,盡管STN的掃描線數可達768行以上,但是當溫度升高時仍然存在著響應速度、視角以及灰度等問題,因此大面積、高信息量、彩色顯示大多采用有源矩陣顯示方式。TFT-LCD已經廣泛用于直視型電視、大屏幕投影電視、計算機終端顯示和某些軍用儀表顯示,相信TFT-LCD技術具有更為廣闊的應用前景。
其中“有源矩陣”包括兩種類型:1、在作為基片的硅晶片上的OMS(金屬氧化物半導體)或其它二極管。2、在作為基片的玻璃板上的薄膜晶體管(TFT)。
單晶硅作為基片材料限制了顯示尺寸,因為各部分顯示器件甚至模塊組裝在其結合處出現許多問題。因而,第二種薄膜晶體管是具有前景的有源矩陣類型,所利用的光電效應通常是TN效應。TFT包括化合物半導體,如Cdse,或以多晶或無定形硅為基礎的TFT。
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