[發明專利]一種逆RSSI架構的射頻功率檢測器

在審

• 申請號: 201710207580.5
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN107202917A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 葉樂;田帆;廖懷林;鄭永安;楊帆
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G01R21/00
• 分類號: G01R21/00;G01R19/00
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙)11200
• 代理人: 俞達成

1.一種逆RSSI架構的射頻功率檢測器，包括衰減陣列、整流器和穩定電阻，該衰減陣列采用逆RSSI架構，包括多級衰減單元，將輸入的功率信號進行逐級衰減，產生不同幅度的功率信號；每一級衰減單元的輸出端都連接一相同架構的整流器，該整流器接收功率信號并產生幅度相關的直流電流；所有整流器的輸出端共同連接一穩定電阻，直流電流通過該穩定電阻產生電壓信號。

2.根據權利要求1所述的射頻功率檢測器，其特征在于，每一級衰減單元由第一電容和第二電容串聯組成，第二電容的遠離第一電容的一端接地；從衰減陣列的輸入端起，下一級的第一電容的輸入端連接于上一級的第一電容和第二電容之間。

3.根據權利要求2所述的射頻功率檢測器，其特征在于，電容為MIM電容。

4.根據權利要求2所述的射頻功率檢測器，其特征在于，每一整流器連接于所在級衰減單元的第一電容和第二電容之間。

5.根據權利要求1所述的射頻功率檢測器，其特征在于，每一級衰減單元由第一電阻和第二電阻串聯組成，第二電阻的遠離第一電阻的一端接地；從衰減陣列的輸入端起，下一級的第一電阻的輸入端連接于上一級的第一電阻和第二電阻之間。

6.根據權利要求5所述的射頻功率檢測器，其特征在于，每一整流器連接于所在級衰減單元的第一電阻和第二電阻之間。

7.根據權利要求1、4或6所述的射頻功率檢測器，其特征在于，整流器為含有一非平衡交叉耦合對的CMOS整流器，包括作為輸入對管的兩對非平衡NMOS管、作為電流鏡的兩對PMOS管和尾電流源；尾電流源提供輸入對管的總電流；兩對NMOS管漏端交叉耦合，并連接到相應的PMOS管漏端；還包括兩個輔助電容，連接于該兩對NMOS管的漏端。

8.根據權利要求7所述的射頻功率檢測器，其特征在于，該整流器的兩對NMOS管為非平衡MOS管，兩對PMOS管相同。

9.根據權利要求1所述的射頻功率檢測器，其特征在于，穩定電阻為rpposab電阻。