[發明專利]一種全介質超材料類EIT諧振裝置

有效

• 申請號: 201710207456.9
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN106887665B
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發明（設計）人: 洪治;隋傳帥;郎婷婷;李向軍;井旭峰;韓冰心
• 申請（專利權）人: 中國計量大學
• 主分類號: H01P7/10
• 分類號: H01P7/10
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 陳昱彤

1.一種全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于：包括平板波導和二維周期性介質諧振器，所述平板波導包括第一介質層，所述二維周期性介質諧振器由置于第一介質層的上表面且呈二維周期性分布的長方體介質條構成，所述長方體介質條的折射率大于所述第一介質層的折射率。

2.根據權利要求1所述的全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于：所述平板波導還包括第二介質層，且第二介質層的折射率小于第一介質層的折射率，所述第一介質層置于第二介質層的上表面。

3.根據權利要求1或2所述的全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于：所有長方體介質條的寬邊均與入射電磁波的偏振方向平行，所有長方體介質條的長邊均與入射電磁波的偏振方向垂直。

4.根據權利要求1或2所述的全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于：所述長方體介質條的長度和寬度分別滿足以下條件：n·a＝1.95λ，0.74λ≤n·b≤1.19λ，其中，a表示長方體介質條的長度，b表示長方體介質條的寬度，n表示長方體介質條的折射率，λ表示入射電磁波在真空中的波長。

5.根據權利要求3所述的全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于：所述長方體介質條的長度和寬度分別滿足以下條件：n·a＝1.95λ，0.74λ≤n·b≤1.19λ，其中，a表示長方體介質條的長度，b表示長方體介質條的寬度，n表示長方體介質條的折射率，λ表示入射電磁波在真空中的波長。

6.根據權利要求4所述的全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于：所述長方體介質條的寬度滿足以下條件：n·b＝1.19λ。

7.根據權利要求5所述的全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于：所述長方體介質條的寬度滿足以下條件：n·b＝1.19λ。

8.根據權利要求1、2、5、6或7所述的全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于，所述平板波導的第一介質層的厚度和折射率滿足以下公式(1)和(2)所示的條件：

P(sinθ+sini)＝λ/n₁ (1)

其中，P為長方體介質條在Y軸方向的一個分布周期，且P等于長方體介質條的長邊和Y軸方向相鄰長方體介質條的間距之和；i表示入射電磁波的入射角，θ表示入射電磁波的光柵衍射角，λ為入射電磁波在真空中的波長，d表示第一介質層的厚度，n₁為第一介質層的折射率，2Φ_c是第一介質層上表面的全反射相移，2Φ_s為第一介質層下表面的全反射相移，N是導模階數，N為不小于零的整數。

9.根據權利要求3所述的全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于，所述平板波導的第一介質層的厚度和折射率滿足以下公式(1)和(2)所示的條件：

P(sinθ+sini)＝λ/n₁ (1)

其中，P為長方體介質條在Y軸方向的一個分布周期，且P等于長方體介質條的長邊和Y軸方向相鄰長方體介質條的間距之和；i表示入射電磁波的入射角，θ表示入射電磁波的光柵衍射角，λ為入射電磁波在真空中的波長，d表示第一介質層的厚度，n₁為第一介質層的折射率，2Φ_c是第一介質層上表面的全反射相移，2Φ_s為第一介質層下表面的全反射相移，N是導模階數，N為不小于零的整數。

10.根據權利要求4所述的全介質超材料類EIT諧振裝置，其特征在于，所述平板波導的第一介質層的厚度和折射率滿足以下公式(1)和(2)所示的條件：

P(sinθ+sini)＝λ/n₁ (1)

其中，P為長方體介質條在Y軸方向的一個分布周期，且P等于長方體介質條的長邊和Y軸方向相鄰長方體介質條的間距之和；i表示入射電磁波的入射角，θ表示入射電磁波的光柵衍射角，λ為入射電磁波在真空中的波長，d表示第一介質層的厚度，n₁為第一介質層的折射率，2Φ_c是第一介質層上表面的全反射相移，2Φ_s為第一介質層下表面的全反射相移，N是導模階數，N為不小于零的整數。