[發明專利]沒有多晶硅發射極的聯柵晶體管

在審

• 申請號: 201710207338.8
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN106920835A
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 李思敏
• 申請（專利權）人: 李思敏
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/80
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司11100
• 代理人: 張晶,郭佩蘭

1.一種沒有多晶硅發射極的聯柵晶體管，在下層為N型低電阻率層、上層為N型高電阻率層的硅襯底片的上表面有高摻雜濃度的N型發射區，該N型發射區的上面連接著發射極金屬層，N型發射區的下面有P型基區，P型基區的側面連著摻雜濃度比基區高的P型濃基區，P型濃基區與P型濃基區匯流條正交，硅襯底片的上方有基極金屬層，硅襯底片的上層N型高電阻率層位于P型基區和P型濃基區以下的部分為集電區，硅襯底片的N型低電阻率層為集電極，集電極的下表面與集電極金屬層相連，其特征在于：

所述基極金屬層與P型濃基區匯流條的上表面相連接；

所述P型濃基區的上面與發射區連接。

2.如權利要求1所述的沒有多晶硅發射極的聯柵晶體管，其特征在于：所述P型濃基區是平面型的。

3.如權利要求1所述的沒有多晶硅發射極的聯柵晶體管，其特征在于：所述P型濃基區是槽型的。

4.一種沒有多晶硅發射極的聯柵晶體管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

A.提供下層為N型低電阻率層、上層為N型高電阻率層的硅襯底片；

B.通過氧化、光刻、硼離子注入、擴散推進工藝，形成P型濃基區、P型濃基區匯流條，在擴散推進后，硅襯底的上表面生成一層氧化層；

C.通過光刻、硼離子注入、擴散推進工藝，形成P型基區，P型基區的光刻版設計成涵蓋P型濃基區，在擴散推進后，P型基區和P型濃基區的上表面生成一層薄氧化層；

D.通過漂洗把P型基區和P型濃基區上面的薄氧化層去除；

E.磷離子注入，通過擴散推進在硅襯底片P型基區和P型濃基區的上部形成N型發射區；

F.選擇性腐蝕氧化層，把P型濃基區匯流條上面的部分區域的氧化層腐蝕干凈，形成接觸孔；

H.濺射金屬層；

I.選擇性的掩蔽和腐蝕金屬層，形成互相分離的發射極金屬層和基極金屬層；

J.背面減薄、濺射集電極金屬層。

5.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步驟B中P型濃基區和P型濃基區匯流條為平面型的P型濃基區和平面型的P型濃基區匯流條。

6.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步驟B中P型濃基區和P型濃基區匯流條為通過挖槽形成的槽型的P型濃基區和槽型的P型濃基區匯流條。